[发明专利]控制替代栅极结构高度的方法

权利要求书

1.一种控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干替代栅极结构，所述替代栅极结构和半导体衬底表面形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层表面形成有层间介质层；

对所述层间介质层进行第一化学机械研磨，直至暴露出所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层；

对所述替代栅极结构之间的层间介质层进行回刻蚀，使得所述层间介质层表面与替代栅极结构表面的高度相适应；

对所述替代栅极结构表面的刻蚀阻挡层进行第二化学机械研磨，直到暴露出所述替代栅极结构表面。

2.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述层间介质层回刻蚀的厚度范围为

3.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述回刻蚀后的层间介质层的表面与替代栅极结构的表面两者的高度差的范围为小于或等于

4.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述回刻蚀的工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.如权利要求4所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。

6.如权利要求4所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为利用物理和化学机理共同作用的干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，第二化学机械研磨后，所述层间介质层和替代栅极结构的表面位于同一平面。

8.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述第二化学机械研磨对刻蚀阻挡层和层间介质层的研磨速率选择比大于5∶1。

9.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述第二化学机械研磨对层间介质层和替代栅极结构的多晶硅栅极的研磨速率选择比小于2∶1且大于1∶2。

10.如权利要求9所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述第二化学机械研磨对层间介质层和替代栅极结构的多晶硅栅极的刻蚀选择比为1∶1。

11.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨液的研磨颗粒包括氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铈、氧化锰其中一种。

12.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅其中的一种或几种。

13.如权利要求12所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的形成工艺为化学气相沉积。

14.如权利要求1所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、正硅酸乙酯其中一种或几种。

15.如权利要求14所述的控制替代栅极结构高度的方法，其特征在于，所述层间介质层的形成工艺为化学气相沉积。