[发明专利]一种微波水热法在ITO基板上制备硫化钴薄膜的方法

权利要求书

1.一种微波水热法在ITO基板上制备硫化钴薄膜的方法，其特征在于：

1)将清洗干净的ITO基板放入质量浓度为1％的十六烷基三甲基氯化铵的甲苯溶液中浸泡；

2)取0.73g-2.92g的分析纯二水合草酸钴(CoC₂O₄·2H₂O)置于小烧杯中，向小烧杯中加入去离子水，搅拌，配置成100mL的红色透明溶液A；

3)取0.38g-1.52g的硫脲，将硫脲加入溶液A中，搅拌至溶解得溶液B；

4)取1mL-10mL质量浓度为30％的H₂O₂加入溶液B中，搅拌均匀，配置成前驱镀膜液C；

5)将前驱镀膜液C倒入水热反应釜中，控制填充度为50-80％；然后将步骤1)处理的ITO基板放置在反应釜浸于前驱镀膜液C中；密封水热反应釜，将其放入微波水热反应仪中；水热温度控制在160-220℃，反应10min-30min；

6)反应结束后自然冷却到室温，取出ITO基板，分别用蒸馏水和无水乙醇清洗，再放入40℃的真空干燥箱内干燥即在基板表面获得硫化钴纳米薄膜。