[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201110373876.7 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102496628A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;和田理人;千叶阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极；
在所述栅电极上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的包括含有铟的氧化物半导体的半导体层；以及
在所述半导体层上的源电极和漏电极，
其中，所述半导体层具有在所述源电极和所述漏电极之间的凹部，并且
其中，整个所述半导体层与所述栅电极重叠。
2.如权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹部的侧表面与所述源电极与所述漏电极中之一的侧表面对准。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体是基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
在所述半导体层、所述源电极和所述漏电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层与所述凹部中的半导体层接触。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
在所述半导体层、所述源电极和所述漏电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层与所述凹部中的半导体层接触，并且
其中，所述绝缘层包括氧化铝。
6.如权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述源电极与所述半导体层的侧表面接触，并且
其中，所述漏电极与所述半导体层的侧表面接触。
7.一种半导体装置，包括：
栅电极；
在所述栅电极上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的包括含有铟的第一氧化物半导体的第一半导体层；
在所述第一半导体层上并与其接触的包括第二氧化物半导体的第二半导体层；
在所述第一半导体层上并与其接触的包括所述第二氧化物半导体的第三半导体层；
在所述第二半导体层上的源电极；以及
在所述第三半导体层上的漏电极，
其中，所述第一半导体层具有在所述源电极和所述漏电极之间的凹部，并且
其中，整个所述第一半导体层与所述栅电极重叠。
8.一种半导体装置，包括：
栅电极；
在所述栅电极上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的包括含有铟的第一氧化物半导体的第一半导体层；
在所述第一半导体层上并与其接触的包括第二氧化物半导体的第二半导体层；
在所述第一半导体层上并与其接触的包括所述第二氧化物半导体的第三半导体层；
在所述第二半导体层上的源电极；以及
在所述第三半导体层上的漏电极，
其中，所述第一半导体层具有在所述源电极和所述漏电极之间的凹部，
其中，整个所述第一半导体层与所述栅电极重叠，并且
其中，所述第二半导体层和所述第三半导体层各自具有比所述第一半导体层高的电导率。
9.如权利要求7或8所述的半导体装置，
其中，所述凹部的侧表面、所述第二半导体层和所述第三半导体层中之一的侧表面以及所述源电极与所述漏电极中之一的侧表面相互对准。
10.如权利要求7或8所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体是基于In-Ga-Zn-O的氧化物半导体。
11.如权利要求7或8所述的半导体装置，还包括：
在所述第一半导体层、所述源电极和所述漏电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层与所述凹部中的第一半导体层接触。
12.如权利要求7或8所述的半导体装置，还包括：
在所述第一半导体层、所述源电极和所述漏电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层与所述凹部中的第一半导体层接触，并且
其中，所述绝缘层包括氧化铝。
13.如权利要求1、7与8中任一项所述的半导体装置，还包括：
电连接到所述源电极和所述漏电极中之一的像素电极，
其中，所述像素电极包括透明导电材料。
14.如权利要求1、7与8中任一项所述的半导体装置，还包括：
电连接到所述源电极和所述漏电极中之一的像素电极，和
与所述栅电极相邻的第二栅电极，
其中，所述第二栅电极延伸以形成栅极布线，并且
其中，所述像素电极与所述栅极布线重叠。
15.如权利要求7或8所述的半导体装置，
其中，所述源电极与所述第一半导体层的侧表面接触，并且
其中，所述漏电极与所述第一半导体层的侧表面接触。
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