[发明专利]采用电平和斜率检测的自定时电流积分方案

权利要求书

1.一种存储器电路，包括：

存储器单元，配置为生成向相关联的位线提供电荷的存储器单元电流，其中在位线上的电荷作为时间的函数增加以生成具有斜率的位线电压；

斜率检测构件，耦合到位线并配置为检测位线电压的斜率并基于所确定的斜率来增强位线电压的斜率；以及

电平检测构件，配置为检测位线的电压电平并且当位线电压大于阈值电压电平时生成感测放大器输出信号。

2.根据权利要求1的存储器电路，其中增强位线电压的斜率包括对于与低电阻状态存储器单元相关联的位线来说利用第一因子增加位线电压的斜率，以及其中增强位线电压的斜率包括对于与较高电阻状态存储器相关联的位线来说利用第二因子增加位线电压的斜率，其中所述第一因子大于第二因子。

3.根据权利要求1的存储器电路，其中所述斜率检测构件包括积分器，所述积分器配置为在时间上对位线的存储器单元电流进行积分并根据积分的电流确定斜率。

4.根据权利要求1的存储器电路，包括：

基准感测放大器，配置为生成基准输出信号，所述基准感测放大器具有第一输入和第二输入，所述第一输入耦合到阈值电压信号，而所述第二输入耦合到与中间电阻存储器单元相关联的基准位线，所述中间电阻存储器单元提供的电流低于由存储高数据状态的存储器单元提供的电流且高于由存储低数据状态的存储器单元提供的电流；

其中如果基准输出信号在位线达到目标电平之前的时间为低，则评估电路会生成高数据状态，以及其中如果基准输出信号在位线达到目标电平之后的时间为高，则所述评估电路会生成低数据状态。

5.根据权利要求4的存储器电路，其中所述中间电阻存储器单元包括适当计数的高电阻存储器单元和低电阻存储器单元以提供中间存储器单元电流，所述中间存储器单元电流基本上等于低存储器单元的电流的一半。

6.根据权利要求4的存储器电路，其中所述评估电路包括存储元件，所述存储元件配置为进行对感测放大器输出信号的时控采样。

7.根据权利要求6的存储器电路，其中配置为进行时控采样的存储元件包括锁存器，所述锁存器利用基准输出信号来时控并且配置为接收感测放大器输出信号。

8.根据权利要求1的存储器电路，其中所述电平检测构件包括电流镜，所述电流镜具有耦合到位线的第一晶体管和耦合到保持在阈值电压电平上的偏置电压的第二晶体管，以及

其中当位线电压达到阈值电压电平时，第一晶体管关断，导致感测放大器输出所述感测放大器输出信号。

9.根据权利要求1的存储器电路，其中斜率检测构件包括：

斜率控制电压源，包括第一晶体管和PMOS二极管，所述第一晶体管配置为提供动态位线充电电流，且所述PMOS二级管与所述第一晶体管一起作为电流镜操作，

其中所述PMOS二极管耦合到第二可调节晶体管，所述第二可调节晶体管具有与位线的斜率成比例的电阻，所述第二可调节晶体管配置为：当可调节晶体管接通时，选择性地生成提供给可调节电容器的动态电容充电电流，

其中利用所述第一晶体管提供的动态位线充电电流依赖于动态电容充电电流。

10.根据权利要求9的存储器电路，所述斜率检测构件包括源极跟随器构件，所述源极跟随器构件包括第三晶体管，所述第三晶体管的漏极在第一节点处耦合到第四晶体管的源极，所述第一节点耦合到第二可调节晶体管的栅极。

11.一种感测放大器电路，包括：

斜率检测构件，配置为确定位线电压的斜率并通过反馈循环来增强斜率以增加与具有低电阻状态的存储器单元相关联的位线的充电速度；以及

电平检测构件，配置为当位线电压大于阈值电压电平时生成感测放大器输出信号；

其中增强位线的斜率减少位线达到阈值电压电平所花费的时间。

12.根据权利要求11的电路，其中增强位线电压的斜率包括对于与低电阻状态存储器单元相关联的位线来说利用第一因子增加位线电压的斜率，以及其中增加位线电压的斜率包括对于与较高电阻状态存储器相关联的位线来说利用第二因子增加位线电压的斜率，其中所述第一因子大于第二因子。