[发明专利]透射率线性渐变的中性密度滤光片无效
申请号: | 201110372022.7 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN102368099A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 张勇喜;阴晓俊;费书国;金秀;温东颖;杨文华 | 申请(专利权)人: | 沈阳仪表科学研究院 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;G02B1/10 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 郭元艺 |
地址: | 110043 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透射率 线性 渐变 中性 密度 滤光 | ||
技术领域
本发明属能量分光元件领域,尤其涉及一种透射率线性渐变的中性密度滤光片。
背景技术
中性密度滤光片(neutral density filter)简称密度片,是一种能量分光元件,对光信号起衰减调节作用,具有结构简单,使用波长范围广,中性度好等优点,在各类光学仪器和光学实验中得到广泛应用。密度片分固定密度片和变密度片两类。固定密度片的光密度不随位置变化,整个零件是均匀一致的。变密度片顾名思义,其光密度是随位置发生变化的。
变密度片按光密度随位置的变化形式来分,常见的有六种:圆形线性渐变密度片、圆形阶梯密度片、条形线性渐变密度片、条形阶梯密度片、径向渐浅密度片和径向渐深密度片。
透射率(T)和光密度(D)存在如下换算关系:
T=10-D (1)
那么,根据光密度曲线就可以计算出透射率曲线。通过薄膜理论,还可以根据光密度变化曲线计算出零件的薄膜厚度分布。从膜厚分布曲线可以看出,光密度线性渐变密度片的膜厚分布基本呈线性。
当变密度片旋转很小的角度就会有非常大的透射率变化。这种快速的变化非常适合于快速地进行光信号衰减调节,例如光通讯领域。
但是在某些场合也需要对光强进行微调,例如将光强减小30%~40%,或70%~80%。这是就希望零件的透射率对位置不要太灵敏,最好呈线性变化,如图3所示。此时对应的光密度变化曲线如图4。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的不足之处而提供一种使用寿命长,透射率呈线性变化,可方便安装及旋转的透射率线性渐变的中性密度滤光片。
为解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
一种透射率线性渐变的中性密度滤光片,它包括基片本体;在所述基片本体上镀有薄膜层;在所述基片本体的中心部位设有安装孔。
作为一种优选方案,本发明在所述安装孔的外周设有第一空白区。
作为另一种优选方案,本发明在所述基片本体的外周设有第二空白区。
进一步地,本发明在所述第二空白区上固定设有环形刻度尺。
更进一步地,本发明在所述基片本体内设有第三空白区。
另外,本发明所述薄膜层的厚度随膜层位置呈指数变化且满足:d=A(1-10(B*α));其中:d为膜层厚度,A、B为待定参数,α为基片本体膜层的位置。
本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片中心有孔,可方便安装和旋转。本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片内圈可以有空白,也可以没有空白,中心区空白可以避免安装时磨损薄膜,影响使用。本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片外圈有空白,用于安装刻度尺。本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片的线性度应优于±5%;中性度在400nm-700nm间应优于±5%。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
图1为本发明整体结构示意图;
图2为本发明环形刻度尺示意图;
图3为透射率随位置线性变化曲线;
图4为透射率随位置线性变化时的光密度曲线;
图5为本发明T=1%的透射率线性渐变的中性密度滤光片的透射率曲线;
图6为本发明T=1%的透射率线性渐变的中性密度滤光片的膜厚分布曲线;
图7为本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片的透射率及光密度曲线。
图中:1、基片本体;2、薄膜层;3、安装孔;4、第一空白区;5、第二空白区;6、第三空白区。
具体实施方式
参见图1及图2,透射率线性渐变的中性密度滤光片,它包括基片本体1;在所述基片本体1上镀有薄膜层2;在所述基片本体1的中心部位设有安装孔3。
本发明在所述安装孔3的外周可设有第一空白区4。
本发明在所述基片本体1的外周可设有第二空白区5。
本发明在所述第二空白区5上固定可设有环形刻度尺。
本发明在所述基片本体1内可设有第三空白区6。
本发明所述薄膜层2的厚度随膜层位置呈指数变化且满足:d=A(1-10(B*α));其中:d为膜层厚度,A、B为待定参数,α为基片本体膜层的位置。
本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片中心有孔,可方便安装和旋转。
本发明透射率线性渐变的中性密度滤光片内圈可以有空白,也可以没有空白,中心区空白可以避免安装时磨损薄膜,影响使用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳仪表科学研究院,未经沈阳仪表科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110372022.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多颗半导体激光光纤耦合装置
- 下一篇:毛细管网空调柜