[发明专利]包含影响存储器的操作条件的参数的存储器指令

权利要求书

1.一种方法，其包括：

接收包含用以在存储器中的一位置处操作的命令及至少一个操作参数的指令；及

至少部分地基于所述至少一个操作参数来影响所述存储器中的外围电路的物理操作条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理操作条件包括施加到包含于所述存储器中的一个或一个以上存储器单元的偏置电压或电流电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理操作条件包括用以区分存储器单元逻辑电平的阈值电压或电流及/或持续时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述物理操作条件包括所述存储器的精确性及/或操作速度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述操作参数包括数字信号。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括将所述数字信号转换成模拟信号。

7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

产生对应于所述数字信号的电压或电流；及

将所述电压或电流施加到包含于所述存储器中的一个或一个以上外围电路。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令包括用以执行以下操作的命令：从所述存储器读取、写入到所述存储器或擦除所述存储器的至少一部分。

9.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

接收所述指令里包含的额外操作参数，其中所述额外操作参数指示是否将在后续指令期间施加所述操作参数。

10.一种存储器装置，其包括：

用以执行以下操作的电路：

读取到存储器单元阵列或从存储器单元阵列写入，及

接收包含用以在所述存储器单元阵列中的一位置处操作的命令的指令；及

用以执行以下操作的参数管理块：

接收所述指令里包含的至少一个操作参数，及

至少部分地基于所述至少一个操作参数来影响所述电路的物理操作条件。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述物理操作条件包括施加到包含于所述存储器中的一个或一个以上存储器单元的偏置电压或电流电平。

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述物理操作条件包括用以区分存储器单元逻辑电平的阈值电压或电流及/或持续时间。

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述物理操作条件包括所述存储器的精确性及/或操作速度。

14.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括产生器，所述产生器用以至少部分地基于所述操作参数而产生电压或电流电平。

15.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括：

第一输入端口，其用以接收所述操作参数；及

第二输入端口，其用以接收所述命令。

16.根据权利要求10所述的存储器装置，所述电路进一步用以接收描述所述存储器单元阵列中的所述位置的地址。

17.一种系统，其包括：

存储器装置，其包括存储器单元阵列，所述存储器装置进一步包括用以执行以下操作的存储器控制器：

写入到所述存储器单元阵列或从所述存储器单元阵列读取；

接收包含用以在所述存储器单元阵列中的一位置处操作的命令的指令；

接收所述指令里包含的至少一个操作参数；及

至少部分地基于所述至少一个操作参数来影响所述存储器装置中的外围电路的物理操作条件；及

处理器，其用以托管一个或一个以上应用程序且将所述指令起始到所述存储器控制器以提供对所述存储器单元阵列的存取。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述物理操作条件包括施加到包含于所述存储器中的一个或一个以上存储器单元的偏置电压或电流电平。

19.根据权利要求17所述的系统，其中所述物理操作条件包括用以区分存储器单元逻辑电平的阈值电压或电流及/或持续时间。

20.根据权利要求17所述的系统，其中所述物理操作条件包括所述存储器的精确性及/或操作速度。