[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

优先权要求

本申请参考早先于2010年12月8日递交韩国知识产权局并因而被正式分配序列号No.10-2010-0124862的申请，将其合并于此，并要求其优先权和所有权益。

技术领域

本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地涉及具有简化的制造工艺和在焊盘部分中具有改善的电阻均匀性，使得亮度得到改善的有机发光显示设备及其制造方法。

背景技术

诸如有机发光显示设备或液晶显示设备之类的平板显示设备被制造在基板上，基板上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的布线的图案。一般而言，为了在制造平板显示设备的基板上形成包括TFT的精细图案，通过利用形成有精细图案的掩膜将图案传递到基板。

使用掩膜传递图案的工艺一般使用光刻工艺。根据包括一系列子步骤的光刻工艺，在即将形成图案的基板上均匀地涂覆光刻胶。使用诸如步进机之类的曝光设备将光刻胶曝光。在正性光刻胶的情况下，对曝光的光刻胶进行显影。在将光刻胶显影之后，使用剩余的光刻胶作为掩膜刻蚀图案，从而去除不需要的光刻胶。

在使用掩膜传递图案的工艺中，需要其上具有必要图案的掩膜。因此，随着使用掩膜的步骤的数目增多，用于制备掩膜的制造成本也增加。并且，由于需要以上所述的复杂步骤，因此制造工艺复杂，制造时间延长，并且制造成本升高。

发明内容

为了解决上述和/或其它问题，本发明提供一种具有简化的制造工艺且在焊盘部分中具有改善的电阻均匀性，使得亮度得以提高的有机发光显示设备及其制造方法。

根据本发明的方面，一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管，包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，其中由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积；第一焊盘电极，由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中；第二焊盘电极，形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上，并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；以及第三焊盘电极，接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。

所述有机发光显示设备进一步包括介入所述第二焊盘电极与所述第三焊盘电极之间的层间绝缘层，其中所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔彼此接触。

所述层间绝缘层可以暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极可以沿所述层间绝缘层形成并且可以接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。

所述第三焊盘电极的两个端部可以分别接触所述第二焊盘电极的两个端部。

所述第一焊盘电极的一个端部可以暴露于外部，并且可以电连接至供应电流以驱动所述有机发光显示设备的驱动器IC。

所述栅下电极、所述像素电极和所述第一焊盘电极可以包括ITO、IZO、ZnO和In₂O₃中至少之一。

所述栅上电极和所述第二焊盘电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所组成的组中选择的至少一种材料。

所述栅上电极和所述第二焊盘电极可以包括钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的三层结构。

所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所组成的组中选择的至少一种材料。

所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极可以包括钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的三层结构。

根据本发明的另一方面，一种有机发光显示设备，包括：形成在基板上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的薄膜晶体管的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层上的像素电极；栅下电极，通过与所述像素电极分隔开预定的距离在所述有源层上由与所述像素电极相同的材料形成在同一层中；第一焊盘电极，通过与所述栅下电极分隔开预定的距离由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中；形成在所述栅下电极上的栅上电极；第二焊盘电极，在所述第一焊盘电极上由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅上电极和所述第二焊盘电极的至少一部分；源电极和漏电极，形成在所述第三绝缘层上并接触所述像素电极；以及第三焊盘电极，由与所述源电极和漏电极相同的材料形成在同一层中，并且接触所述第二焊盘电极。