[发明专利]一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法

权利要求书

1.一种用于光伏型碲镉汞红外探测器的延展电极，其特征在于：该电极从芯片注入区延展至非注入区，电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离，所述的钝化层为100nm厚的CdTe和200nm厚的ZnS的复合钝化层。

2.一种如权利要求1所述的延展电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将已经制备保护层ZnS薄膜的经过离子注入后的碲镉汞芯片清洗干净，在芯片表面旋涂一层厚度为2～3微米厚的nl0f2035负性光致抗蚀剂，用光刻版对芯片进行曝光显影，在光敏元上方获得顶部大底部小的光刻胶台面；

2)将制备好光刻胶台面的芯片放入冰点的盐酸腐蚀液中腐蚀1～2秒，将光刻胶台面以外区域的保护层ZnS腐蚀干净；将腐蚀后的芯片放入电子束蒸发镀膜设备中沉积100nm厚的CdTe和200nm厚的ZnS，得到复合钝化层，剥离芯片上多余的复合钝化层，获得pn结注入区周围具备缓变结构的复合钝化层；

3)在制备完复合钝化层的芯片表面旋涂一层1～2微米厚的AZ1500光刻胶，用光刻版对芯片进行曝光显影，获得光刻后的电极腐蚀孔；

4)光刻后的芯片放入冰点的盐酸腐蚀液中腐蚀1～2秒，将pn结注入区处表面的残余ZnS去除干净，将腐蚀后的芯片放入丙酮中去胶，再用无水乙醇清洗；

5)将腐蚀后的芯片表面旋涂一层1～2微米厚的AZ1500光刻胶，用光刻版对芯片进行曝光显影，获得光刻后的电极剥离孔；

将样品采用离子束溅射沉积镀膜的方法沉积50～100nm厚的Sn和200～300nm厚的Au，得到电极，将制备好电极的芯片放入丙酮中浸泡60～90分钟，再用无水乙醇清洗，剥离芯片上多余的电极层，获得pn结注入区延伸至非注入区复合钝化层表面的电极。