[发明专利]用于电磁可控x射线管中的提高的瞬态响应的设备和方法有效
| 申请号： | 201110354650.2 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102543634A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | C·S·罗杰斯;M·A·弗兰特拉;E·J·韦斯特科特;P·A·扎沃德什基 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01J35/02 | 分类号： | H01J35/02;H01J35/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电磁 可控 射线 中的 提高 瞬态 响应 设备 方法 | ||
1.一种x射线管组件(14)，其包括：
真空罩(52)，其包括：
阴极部(56)；
靶部(60)；和
喉道部(84)，其具有在其中形成的用于中断在所述喉道部(84)中产生的涡流的多个凹陷(102)，所述喉道部(84)具有耦合于所述阴极部(56)的上游端(110)和耦合于所述靶部(60)的下游端(112)；
安置在所述真空罩(52)的靶部(60)内的靶(58)；和
安置在所述真空罩(52)的阴极部(56)内的阴极(54)，所述阴极(54)配置成通过所述喉道部(84)朝所述靶(58)发射电子流(68)。
2.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其中所述喉道部(84)具有由所述上游端(110)和所述下游端(112)之间的距离限定的长度；并且
其中所述多个凹陷(102)垂直于所述喉道部(84)的中心轴(103)取向并且安置在沿着所述喉道部(84)的长度的多个位置处。
3.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其中所述喉道部(84)进一步包括：
上游段(106)；
下游段(108)；和
安置在所述上游段(106)和所述下游段(108)之间的磁场段(100)，并且
其中所述磁场段(100)具有在其中形成的所述多个凹陷(102)。
4.如权利要求3所述的x射线管组件(14)，其中所述上游段(106)具有大致上等于所述真空罩(52)的阴极部(56)壁厚的壁厚；并且
其中所述下游段(108)具有大致上等于所述真空罩(52)的靶部(60)壁厚的壁厚。
5.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其中所述喉道部(84)包括非铁磁性材料。
6.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其中所述多个凹陷(102)平行于所述喉道部(84)的中心轴(103)取向。
7.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其进一步包括围绕所述真空罩(52)的喉道部(84)设置并且与所述多个凹陷(102)对齐的第一电磁线圈(86)，所述第一电磁线圈(86)配置成产生第一磁场，所述第一磁场使最大磁通密度发生在所述喉道部(84)的其中形成所述多个凹陷(102)的段中。
8.如权利要求7所述的x射线管组件(14)，其进一步包括围绕所述真空罩(52)的喉道部(84)设置并且与所述多个凹陷(102)对齐的第二电磁线圈(90)，所述第二电磁线圈(90)配置成产生第二磁场，所述第二磁场使最大磁通密度发生在所述喉道部(84)的其中形成所述多个凹陷(102)的段中。
9.如权利要求8所述的x射线管组件(14)，其中所述第一电磁线圈(86)与所述多个凹陷(102)的第一分段对齐；并且
其中所述第二电磁线圈(90)与所述多个凹陷(102)的第二分段对齐。
10.如权利要求1所述的x射线管组件(14)，其中所述喉道部(84)其中形成有具有变化的长度的多个凹陷(102)。
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