[发明专利]液晶显示装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2010年11月9日提交的日本专利申请No.2010-250719和2011年1月14日提交的日本专利申请No.2011-006150，并要求它们的优先权，通过引用以其整体将其公开内容合并在此。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，更加具体地，涉及一种具有高数值孔径和高对比度的平面(或面内)转换(在下文中被称为“IPS”)有源矩阵型液晶显示装置。

背景技术

最近，用于TV(电视机)等等的大型监视器的IPS的使用已经变为流行。IPS通过在平行于基板的平面内由横向电场来旋转液晶分子的轴进行显示。因此，对于分子轴的上升角度不存在视角依赖性，使得其视角属性与TN(扭曲向列)模式相比较变得非常有利的(例如，见日本未审专利公开2002-323706(专利文献1)，pp.20-24，图1)。

同时，通过IPS，以梳状形式布置像素电极和公共电极，并且向其施加横向电场。因此，占据显示区域的电极的比例变高，这导致具有低的数值孔径。然而，最近，关于此问题已经有所改进。作为本发明的相关技术，将描述IPS的示例。图13A示出单个子像素的平面图，并且图13B示出沿着图13A的线A-A’截取的截面图。图13A示出组成液晶显示装置的TFT(薄膜晶体管)基板侧的平面图。

将描述图13A和图13B中所示的子像素1351。在TFT基板1331上，形成有以第一金属层形成的扫描信号布线1301和两个平行的公共信号布线1302。栅极绝缘膜1303形成在扫描信号布线1301和公共信号布线1302上，并且以第二金属层形成的视频信号线1304、薄膜半导体层1305，以及以第二金属层形成的源电极1306形成在栅极绝缘膜1303上。钝化膜1307形成在视频信号布线1304、薄膜半导体层1305以及源电极1306上，并且由有机膜制成的平坦化膜1308进一步形成在钝化膜1307上。由透明导电膜制成的像素电极1309和由透明导电膜制成的公共电极1310形成在平坦化膜1308上。

视频信号布线1304在其布线宽度方向上经由钝化膜1307和平坦化膜1308被公共电极1310完全覆盖。在此注意，像素电极1309经由接触孔1312电连接到源电极1306，并且公共电极1310经由接触孔1312电连接到公共信号布线1302。公共信号布线1302和源电极1306相互重叠的区域变成存储电容器1341。在下文中，连接公共电极和公共信号布线的接触孔被称为“公共电极接触孔”，并且连接像素电极和源电极的接触孔被称为“像素电极接触孔”。

在对置电极1332侧，形成用于保持对置基板1332和TFT基板1331之间的间隙的柱形间隔物1315。在TFT基板1331的部分的外围中放置柱形间隔物1315处，存在凹陷区域1314，在该区域不存在平坦化膜1308。通过考虑TFT基板1331和对置基板1332之间的移位，在比柱形间隔物1315的尺寸(宽度方向)更宽的范围内提供凹陷区域1314。除此之外，平坦化膜1308存在于除了连接像素电极1309和源电极1306的像素电极接触孔1311的附近的区域之外的子像素1351的整个表面上。

显示区域1343是以梳状图案形成像素电极1309和公共电极1310的区域。此区域呈现高的平坦特性，因为提供平坦化膜1308作为底座，使得其能够具有精细配向。

此外，以梳状图案布置的像素电极1309和公共电极1310都以透明电极形成，使得其区域也有助于透射。视频信号布线1304在其布线宽度方向上被公共电极1310从上面完全覆盖。因为此结构，透射可视光的开口部分能够扩展到视频信号布线1304的边缘附近。

专利文献1：日本未审专利申请公开2002-323706(pp.20-24，图1)

伴随最近的液晶显示装置，由于诸如医疗领域等等的高端应用的增加，高清晰度屏幕及其较窄的间距是更加先进。因此，期望更高的数值孔径。为此，为了获取大的存储电容器要求大的面积。然而，通过上述现有技术，清晰度变得较高，占据像素区域的存储电容器的比例变得较高。这使得难以实现高的数值孔径。

因此本发明的示例性目的是提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置通过能够在显示区域中形成平坦化膜来提供均匀且精细的配向的结构来确保具有小面积的大存储电容器。

发明内容