[发明专利]含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法无效
| 申请号： | 201110348538.8 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102412341A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 余洲;晏传鹏;刘连;张勇;李珂;赵勇;刘斌 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu 分层 变化 铜铟镓硒 薄膜 磁控溅射 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其特征在于：所述的低功率密度溅射和高功率密度溅射交替进行次数为1-3次，对应形成2-6个不同Cu含量的沉积层。
3.根据权利要求1所述的一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其特征在于：所述的低功率密度溅射的工艺条件为，功率密度0.5～4.0W/cm2，靶距为4～8cm，工作气压为0.1～4.0Pa，衬底温度为室温到300℃；所述的高功率密度溅射的工艺条件为，功率密度6.0～10.0W/cm2，靶距为4～8cm，工作气压为0.1～4.0Pa，衬底温度为室温到300℃；所述的真空中热处理工艺条件为，在50～3000Pa的氩气或氮气气氛中，升温到380～550℃，保温10～60min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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