[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法无效
申请号: | 201110346817.0 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN102508379A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 焦峰 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1333 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。
背景技术
传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的荧光粉来显示图像,但液晶显示的原理则完全不同。通常,液晶显示(LCD)装置具有上基板和下基板,彼此有一定间隔和互相正对。形成在两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上基板和下基板之间。电压通过基板上的电极施加到液晶上,然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光,它需要光源来显示图像。因此,液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源。根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。如图1所示,在两块偏光板之间夹有玻璃基板、彩色滤光片(彩膜)、电极、液晶层和薄膜晶体管,液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。背光源发出的光线经过下层偏光板,成为具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶体管控制电极之间所加电压,而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向,偏振光透过相应的彩膜色层后形成单色偏振光,如果偏振光能够穿透上层偏光板,则显示出相应的颜色;电场强度不同,液晶分子的偏转角度也不同,透过的光强不一样,显示的亮度也不同。通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示五颜六色的图像。
液晶显示面板的制作流程为:制作彩膜基板及阵列基板,在彩膜基板或是阵列基板上涂布一圈封框胶,使用液晶滴下装置在封框胶围成的区域内滴下适量的液晶,在真空环境中将另一枚基板与之贴合,使用紫外光照射和热硬化使封框胶硬化固定(封框胶成型)。
图2为进行紫外光固化封框胶的工程的示意图,如图2所示,由紫外光从上方照射贴合后的基板。一般有两种方式,一种是彩膜基板在上侧,阵列基板在下侧;一种是阵列基板在上侧,彩膜基板在下侧。
图3为液晶显示面板的平面示意图(阵列基板在上侧,彩膜基板在下侧)。图4为图3中扩大处的扩大示意图。图5为图4中断面处1的断面示意图。从图4可以看出,在阵列基板的四周设置有共通信号金属引线层,为了可以从阵列基板侧进行紫外光照射固化封框胶,在共通信号金属引线层上开有许多条状的透光孔。从图5可以看出,为了将阵列基板侧的共通信号传递到彩膜基板侧的共通电极的ITO(铟锡氧化物)层上,在阵列基板侧的绝缘层上刻孔,覆盖ITO层接触到阵列基板侧的共通信号金属引线层上。然后通过可以导电的金球,将共通信号传递给彩膜基板侧的共通电极上。阵列基板侧的ITO层不仅覆盖了紫外光不透光区,也覆盖了紫外光透光区。
图6为液晶显示面板的平面示意图(彩膜基板在上侧,阵列基板在下侧)。彩膜基板上的ITO层主要是用来做共通电极,并且它一般是在彩膜基板上整面分布的。图7为图6中断面处1的断面示意图。
ITO是一种宽能带薄膜材料,其带隙一般为3.5~4.3ev。紫外光区产生的禁带的励起吸收阈值一般为3.75ev,相当于330nm的波长,因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低,吸收率极高,而在可见光区的透过率非常好。
在从阵列基板侧进行紫外光固化封框胶的工程中,由于阵列基板侧上的封框胶涂布区域的紫外光透光区存在有对于紫外光吸收强烈的ITO层,或者在从彩膜基板侧进行紫外光固化封框胶的工程中,由于在封框胶涂布的彩膜基板侧存在有对于紫外光光吸收强烈的ITO层,所以会影响封框胶对于紫外光的吸收,影响封框胶的固化时间和固化程度,从而延长了生产时间,增加了能源消耗,同时尚未固化的封框胶内的游离物质(离子型不纯物)将会污染液晶材料,降低液晶的电阻率,导致液晶显示器件的一些显示不良,如残像问题等的发生,降低了产品的信赖性水平,降低了液晶显示器件的良品率。
发明内容
发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本发明的目的是提供一种液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法,减少紫外光透光区域对紫外光的阻挡。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用的第一种技术方案为一种液晶显示装置,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,在所述阵列基板或彩膜基板上涂有封框胶,当从阵列基板侧照射紫外光固化封框胶时,阵列基板侧封框胶涂布区域中的ITO层仅设置在紫外光不透光区,且该ITO层内缩进阵列基板侧的共通信号金属引线层。
所述ITO层内缩进阵列基板侧的共通信号金属引线层的距离可大于1微米。
所述ITO层的厚度可为100埃至10000埃。
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