[发明专利]一种基于纳米压电纤维的压力传感器有效
申请号: | 201110343031.3 | 申请日: | 2011-11-03 |
公开(公告)号: | CN102393264A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 王凌云;苏源哲;杜晓辉;占瞻;孙道恒 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 压电 纤维 压力传感器 | ||
1.一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于设有硅基底、硼掺杂层、二氧化硅薄膜、金属电极和PVDF纳米压电纤维;所述硼掺杂层设于硅基底的上表面,硼掺杂层与硅基底连为一体,硅基底内设有空腔,二氧化硅薄膜生长在硅基底无空腔的一侧,2个金属电极固定在二氧化硅薄膜上,PVDF纳米压电纤维直接写在2个金属电极之间,PVDF纳米压电纤维与金属电极之间形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述硅基底的上表面为正方形结构。
3.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述空腔为梯台形空腔。
4.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述二氧化硅薄膜的厚度为0.5~1.5μm。
5.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述金属电极固定在二氧化硅薄膜上,是采用溅射的方法将金属电极固定在二氧化硅薄膜上。
6.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述金属电极的厚度为0.3~0.6μm。
7.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述PVDF纳米压电纤维直接写在2个金属电极之间,是通过静电纺丝装置以直写的方式将PVDF纳米压电纤维直接写在2个金属电极之间。
8.如权利要求1所述的一种基于纳米压电纤维的压力传感器,其特征在于所述纳米压电纤维的直径为60~800nm。
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