[发明专利]薄膜硅太阳能电池的背散射表面及其制备方法无效
| 申请号： | 201110342263.7 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102420260A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴永刚;刘仁臣;夏子奂;唐平林 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 陈树德;李颖薇 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 散射 表面 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜硅太阳能电池的背散射表面，该背散射表面为沉积在衬底表面的薄膜，其特征在于：所述作为背散射表面的薄膜为复合膜，由与衬底直接接触的在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属形成的金属膜和Ag膜复合而成，且复合膜的表面呈现亚微米尺度的粗糙结构形貌。
2.根据权利要求1所述的薄膜硅太阳能电池的背散射表面，其特征在于：所述的在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属为Al、Sn、Zn中的一种，构成的背散射表面为Al/Ag、Sn/Ag、Zn/Ag复合膜中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜硅太阳能电池的背散射表面，其特征在于：所述的复合膜中，在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属形成的金属膜厚度范围是250nm～600nm，Ag膜的厚度范围是20nm～50 nm。
4.一种制备根据权利要求1至3之一所述的薄膜硅太阳能电池的背散射表面的方法，其特征在于：采用物理气相沉积方法，在压强<10-3Pa的高真空环境中：
在对衬底加热的条件下，先在衬底上沉积厚度在250nm～600nm的金属膜，再沉积厚度在20nm～50nm的Ag膜，构成复合膜；或者，在室温条件下，在衬底上先沉积厚度在250nm～600nm的在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属膜，再沉积厚度在20nm～50nm的Ag膜，构成复合膜，然后对沉积的复合膜进行真空热处理；其中，所述的对衬底加热和真空热处理的温度均为150～250℃，真空热处理时间为1～2小时，所述的金属膜为在较低温度下沉积易改变形貌的金属或在较低温度下热处理后易改变形貌的金属形成。
5.根据权利要求4所述的制备薄膜硅太阳能电池的背散射表面的方法，其特征在于：所述的沉积方法采用双舟双源的蒸发工艺或双靶磁控溅射工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
