[发明专利]超材料单元结构体设计方法和装置

权利要求书

1.一种超材料单元结构体设计方法，其特征在于，所述方法包括：

a、获得超材料单元结构体的初始样本，并以所述初始样本为母本，所述初始样本包括体现超材料单元结构体的结构的多个结构参数；

b、改变所述母本中的一个或多个结构参数值，获得N个转移样本，N为自然数；

c、获得所述N个转移样本所表示的超材料单元结构体的电磁响应特性分别与目标样本所表示的超材料单元结构体的电磁响应特性相比的距离；

d、根据所述距离对所述N个转移样本进行排序，获得所述距离最小的n个转移样本，n为小于N的自然数；

e、判断所述n个转移样本中是否有符合目标超材料单元结构体设计要求的样本，若有则确定该符合目标超材料单元结构体设计要求的样本为设计样本，否则，以所述n个转移样本中的一个或多个为母本重复步骤b～e，直到确定符合目标超材料单元结构体设计要求的样本为设计样本。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b包括：按照转移函数改变母本的结构参数值，获得N个转移样本，所述转移函数定义如下：

vki=|randn|(ppbset-xki)+|Randn|(pgbset-xki)]]>

xk+1i=xki+vki]]>

其中，表示母本i，表示母本i的一个转移样本，p_pbset表示当前母本所获得的转移样本中最接近目标样本的样本，p_gbset表示所有母本所获得的转移样本中最接近目标样本的样本，|randn|和|Randn|是根据正高斯分布产生的随机数。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述|randn|和|Randn|是根据正高斯分布abs[N(0，1)]产生的随机数。