[发明专利]电子元件的加热方法与装置以及电子装置有效
申请号: | 201110339947.1 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN103092295A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 邱佳昌;王俊祺 | 申请(专利权)人: | 神讯电脑(昆山)有限公司;神基科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/20 | 分类号: | G06F1/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 加热 方法 装置 以及 电子 | ||
1.一种低温环境中一电子元件的加热方法,其中一第一加热器被配置于该电子元件,其特征在于,该加热方法包括:
依据一工作比驱动该第一加热器使用一电源模块的电能;
若该电源模块的输出电压大于一第一临界值,则将该工作比设定为一第一比值;
若该电源模块的输出电压小于一第二临界值,则将该工作比设定为一第二比值,其中该第二临界值小于该第一临界值且大于零,该第二比值小于该第一比值;以及
若该电源模块的输出电压介于该第一临界值与该第二临界值之间,调整该工作比,使该电源模块的输出电压与该第二临界值之差,与该工作比成正比关系。
2.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,该第一比值为100%,该第二比值为0%。
3.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,所述调整该工作比的步骤中,该工作比于该第一比值及该第二比值之间。
4.如权利要求3所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,所述调整该工作比的步骤包括:
将该工作比设定为(DH-DL)×[(V-VL)/(VH-VL)],其中DH为小于或等于1的正数,DL为小于DH的正数,V为该电源模块的输出电压,VH为该第一临界值,VL为该第二临界值。
5.如权利要求4所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,该第一比值与DH为75%,该第二比值为0%,DL为10%,该第一临界值VH为8.1,该第二临界值VL为7.1。
6.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,还包括:
配置一第二加热器于一第二电子元件;以及
依据该工作比,驱动该第二加热器使用该电源模块的电能;
其中该第一加热器的致能期间与该第二加热器的致能期间不重迭。
7.如权利要求6所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,将该工作比的工作期间均分给该第一加热器与该第二加热器。
8.如权利要求6所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,当该第一电子元件的温度达一正常操作温度时,将该工作比的工作期间全部分配给该第二加热器。
9.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,还包括:
配置一第二加热器于一第二电子元件;以及
依据该工作比,使用该电源模块的电能驱动该第二加热器;
其中该第一加热器的致能期间重迭于该第二加热器的致能期间,且该第一加热器的致能期间与该第二加热器的致能期间的时间总和不大于该工作比的工作周期。
10.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,还包括:
侦测该第一电子元件的温度;
当该第一电子元件的温度达一正常操作温度时,停止驱动该第一加热器;以及
当该第一电子元件的温度达该正常操作温度时,启动该第一电子元件。
11.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,该第一电子元件为硬盘机。
12.如权利要求1所述的低温环境中电子元件的加热方法,其特征在于,该电源模块为一电池模块或一交流转接器。
13.一种低温环境中电子元件的加热装置,其特征在于,包括:
一第一加热器,配置于一第一电子元件;
一电源模块,提供该第一加热器所需的电能;以及
一控制器,耦接至该第一加热器与该电源模块,其中该控制器依据一工作比控制该第一加热器使用该电源模块的电能加热该第一电子元件;若该电源模块的输出电压大于一第一临界值,则该控制器设定该工作比为一第一比值;若该电源模块的输出电压小于一第二临界值,则该控制器设定该工作比为一第二比值;该第二临界值小于该第一临界值且大于零;该第二比值小于该第一比值;以及若该电源模块的输出电压介于该第一临界值与该第二临界值之间,则该控制器调整该工作比,使该电源模块的输出电压与该第二临界值之差,与该工作比成正比关系。
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