[发明专利]一种基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，它包括电压运算放大器、振荡器、电压输入引脚和峰值电流检测引脚，其特征在于，所述芯片还包括：

接收所述振荡器输出的时钟信号的逻辑控制模块；

根据所述逻辑控制模块输出的控制信号驱动内置主管或外接的外置主管的驱动电路模块；以及

根据所述电压运算放大器输出的信号以及由电压输入引脚和峰值电流检测引脚引入的信号向所述逻辑控制模块输出触发信号的占空比控制模块；

其中，所述内置主管还与峰值电流检测引脚连接。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述驱动电路模块包括：

接收所述控制信号的非门；

连接在所述非门的输出端并与内置主管的栅极连接的PMOS驱动电路；以及

连接在所述非门的输入端的NMOS或NPN驱动电路。

3.根据权利要求2所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述芯片还包括：

与所述内置主管的漏极连接的PMOS栅极驱动输出引脚；以及

与所述NMOS或NPN驱动电路连接并用于连接外置主管的NMOS栅极和NPN基极驱动输出引脚。

4.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述占空比控制模块包括：

第一比较器，其反相输入端与所述电压运算放大器的输出端连接，其输出端与所述逻辑控制模块连接；以及

Gm型运算放大器，其同相输入端连接至所述电压输入引脚，其反相输入端连接至峰值电流检测引脚，其输出端通过一叠加电路连接至所述第一比较器的同相输入端，其中，所述叠加电路接收所述振荡器输出的斜坡补偿电流信号。

5.根据权利要求1或4所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述占空比控制模块还根据由电压输入引脚和峰值电流检测引脚引入的信号向所述逻辑控制模块输出最小电流检测信号和最大电流检测信号。

6.根据权利要求5所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述占空比控制模块还包括：

输出所述最小电流检测信号的第二比较器；

输出所述最大电流检测信号的第三比较器，其同相输入端与所述第二比较器的反相输入端相连至电压输入引脚，其反相输入端与所述第二比较器的同相输入端相连至峰值电流检测引脚；以及

或门，其一个输入端与所述第一比较器的输出端连接，其另一个输入端接收所述最大电流检测信号，其输出端与所述逻辑控制模块连接。

7.根据权利要求6所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述逻辑控制模块包括：

输出所述控制信号的或非门，其一个输入端与所述振荡器连接；以及

RS触发器，其R端与所述或门的输出端连接，其S端接收所述最小电流检测信号，其端与所述或非门的另一个输入端连接。

8.根据权利要求7所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述RS触发器以最小电流检测信号作为置位信号，并以所述或门的输出信号作为清零信号。

9.根据权利要求1、7或8所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述芯片还包括用于控制所述逻辑控制模块的使能电路。

10.根据权利要求9所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述使能电路包括低压锁定模块和热关断模块。

11.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述芯片还包括连接至所述电压运算放大器的输出端的运放补偿引脚。

12.根据权利要求1或11所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述芯片还包括分别连接至所述电压运算放大器的同相输入端和反相输入端的基准源和电压反馈引脚。

13.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述芯片还包括连接至所述振荡器的计时电容引脚。

14.根据权利要求1、2或3所述的基于CMOS工艺的用于变换器控制电路的集成电路芯片，其特征在于，所述内置主管的源极连接至所述峰值电流检测引脚。