[发明专利]一种电子镇流器的自启动电路无效

专利信息
申请号: 201110336129.6 申请日: 2011-10-28
公开(公告)号: CN102510649A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 谢雪松;彭振宇;张小玲;齐浩淳;佘硕杰;杨娟;郭敏;吕长志 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H05B41/295 分类号: H05B41/295
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 吴荫芳
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子镇流器 启动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种荧光灯电子镇流器的器件,尤其涉及一种电子镇流器的自启动产生电路。

背景技术

电子镇流器的器件是荧光灯正常工作的重要部件,当镇流器工作于国标GB19510.4中所规定的异常状态时,很可能严重发热,导致内部元件被烧毁。因此有“省电不省钱”的“美誉”,从经济角度考虑极不划算。之所以造成这种现象,主要由于是电子镇流器中的功率因数校正电路PFC(Power Factor Correction)在刚开始上电时检测不到内部的零电流检测电路的输出信号,无法触发RS触发器发出信号开启功率因数校正电路外部的开关功率管,因而PFC无法进入正常的工作状态,有可能使功率输出过度。启动电路(Starter)的出现解决了这个问题,它的基本功能就是在PFC上电时发出一触发信号送至RS寄存器(RS trigger)的S端,相应的RS触发器被置高电平”1”,该电平被传送至PFC电路外部,来开启开关功率管。

目前,自启动电路(Starter Circuit)电路作为电子镇流器的关键部分,越来越得到设计者的重视。但是,现有技术中的自启动电路,都是基于对RC充放电以及比较器对充放电节点进行采样比较的基础上发展起来的,电子镇流器自启动电路通过对自启动电路中某一节点电压进行采样,然后送入一组比较器进行比较,并将相应的输出信号送至RS触发器,以使电路的信号状态完成翻转。但其电路设计涉及到两个比较器,复杂程度较高,相应的功耗与芯片面积均较大。

发明内容

本发明的目的在于针对上述电子镇流器自启动电路设计复杂且功耗较大的问题,提供一种能够简单易行的自启动电路。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种电子镇流器的自启动电路,位于电子镇流器的电路中,该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效,使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。

该电路由电流偏置单元1、或非门单元2、充放电单元3、反相器单元4、下拉单元5所组成,

所述电流偏置单元1有两个之路,之路一由PMOS管M0和NMOS管M2组成,M0的栅极G连接外接的偏置电压Vbp,其漏极D则连接NMOS管M2的栅极G、漏极D;之路二由PMOS管M1和NMOS管M3组成,PMOS管M1的栅极G与漏极D连接,并与NMOS管M3的漏极D连接;PMOS管M0和PMOS管M1的源极S均接电路的最高点位Vdd!;NMOS管M2和NMOS管M3的源极S与地连接,其栅极G则一起连接至NMOS管M2的漏极D;

所述或非门单元2由两输入端或非门I0构成,其两输入端一端接电子镇流器全局的使能信号En,另一端接电子镇流器内部的RS触发器单元的输出端Q^;

所述充放电单元3有两个之路,之路一由PMOS管M4和NMOS管M7组成,PMOS管M4的漏极D与NMOS管M7的漏极D、电容C0的一端连接;之路二由PMOS管M5和NMOS管M8组成,PMOS管M5的漏极D与NMOS管M8的漏极D连接;PMOS管M4和PMOS管M5的源极S均接电路的最高点位Vdd!;PMOS管M4的栅极G与所述PMOS管M1的栅极G连接;NMOS管M7的栅极G与所述或非门I0输出连接;M5的栅极G与电容C0的一端、NMOS管M7的漏极D连接;NMOS管M8的栅极G与所述NMOS管M2的栅极G、漏极D连接;PMOS管M7和PMOS管M8的源极S、电容C0的另一端均接地;

所述反相器单元4由PMOS管M6和NMOS管M9组成,PMOS管M6和NMOS管M9的栅极G与PMOS管M5和NMOS管M8的漏极D连接;PMOS管M6的源极S接电路的最高点位Vdd!;NMOS管M9的源极S与地连接;

所述下拉单元5由NMOS管M10构成,NMOS管M10的栅极G与所述或非门I0输出连接;NMOS管M10的漏极D与所述PMOS管M6和NMOS管M9的漏极D连接构成启动电路的输出端;NMOS管M10的源极S与地连接。

所述电流偏置单元为所述充放电单元的两条支路镜像出固定的充电或放电电流。

所述或非门单元通过根据其电路的工作状态输出不同的栅控制信号来控制其所连接的各支路开关管的通断,从而控制自启动电路输出电压的输出。

所述充放电单元调节其两条支路内部的PMOS、NMOS管的宽长比W/L获得不同的输出电压。

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