[发明专利]一种电子镇流器的自启动电路

权利要求书

1.一种电子镇流器的自启动电路，位于电子镇流器的电路中，其特征在于：该电路仅在电子镇流器刚开始工作或电路出现异常时有效，使PFC电路从上电状态或异常状态转换到正常工作状态。

2.如权利要求1所述的一种电子镇流器的自启动电路，其特征在于：该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(4)、下拉单元(5)所组成，

所述电流偏置单元1有两个之路，之路一由PMOS管M0和NMOS管M2组成，M0的栅极G连接外接的偏置电压Vbp，其漏极D则连接NMOS管M2的栅极G、漏极D；之路二由PMOS管M1和NMOS管M3组成，PMOS管M1的栅极G与漏极D连接，并与NMOS管M3的漏极D连接；PMOS管M0和PMOS管M1的源极S均接电路的最高点位Vdd！；NMOS管M2和NMOS管M3的源极S与地连接，其栅极G则一起连接至NMOS管M2的漏极D；

所述或非门单元2由两输入端或非门I0构成，其两输入端一端接电子镇流器全局的使能信号En，另一端接电子镇流器内部的RS触发器单元的输出端Q^；

所述充放电单元3有两个之路，之路一由PMOS管M4和NMOS管M7组成，PMOS管M4的漏极D与NMOS管M7的漏极D、电容C0的一端连接；之路二由PMOS管M5和NMOS管M8组成，PMOS管M5的漏极D与NMOS管M8的漏极D连接；PMOS管M4和PMOS管M5的源极S均接电路的最高点位Vdd！；PMOS管M4的栅极G与所述PMOS管M1的栅极G连接；NMOS管M7的栅极G与所述或非门I0输出连接；M5的栅极G与电容C0的一端、NMOS管M7的漏极D连接；NMOS管M8的栅极G与所述NMOS管M2的栅极G、漏极D连接；PMOS管M7和PMOS管M8的源极S、电容C0的另一端均接地；

所述反相器单元4由PMOS管M6和NMOS管M9组成，PMOS管M6和NMOS管M9的栅极G与PMOS管M5和NMOS管M8的漏极D连接；PMOS管M6的源极S接电路的最高点位Vdd！；NMOS管M9的源极S与地连接；

所述下拉单元5由NMOS管M10构成，NMOS管M10的栅极G与所述或非门I0输出连接；NMOS管M10的漏极D与所述PMOS管M6和NMOS管M9的漏极D连接构成启动电路的输出端；NMOS管M10的源极S与地连接。

3.如权利要求2所述的一种电子镇流器的自启动电路，其特征在于：所述电流偏置单元为所述充放电单元的两条支路镜像出固定的充电或放电电流。

4.如权利要求2所述的一种电子镇流器的自启动电路，其特征在于：所述或非门单元通过根据其电路的工作状态输出不同的栅控制信号来控制其所连接的各支路开关管的通断，从而控制自启动电路输出电压的输出。

5.如权利要求2所述的一种电子镇流器的自启动电路，其特征在于：所述充放电单元调节其两条支路内部的PMOS、NMOS管的宽长比W/L获得不同的输出电压。