[发明专利]一种液体涂敷装置有效

专利信息
申请号: 201110332215.X 申请日: 2011-10-27
公开(公告)号: CN103084297A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 卢继奎;谷德君 申请(专利权)人: 沈阳芯源微电子设备有限公司
主分类号: B05C5/00 分类号: B05C5/00;B05C13/02;B05C11/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 白振宇
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 液体 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及在半导体晶片上形成薄膜的装置,具体地说是一种在晶片上形成涂布液膜的液体涂敷装置。

背景技术

目前,公知的液体涂敷装置主要由喷嘴臂、保护杯、排液室、离心机部分等组成。离心机部分可以升降,晶片在进入腔体时,离心机部分升起,晶片放在承片台后,离心机部分下降;喷嘴在不工作时位于涂敷装置的一端,工作时便移动至晶片顶部,开始进行液体涂敷工作。由于离心机部分可以升降,在高速转动时会产生振动。此外,根据工艺的不同会选择需要涂敷液体的种类,这就需要更换喷嘴;通常喷嘴的更换是通过水平移动的电缸来实现的,将喷嘴移动到不工作位进行更换。现有涂敷装置更换喷嘴的方式会影响到设备的生产效率和涂敷液体的均匀度。

发明内容

为了克服上述介绍的不足之处,本发明的目的在于提供一种液体涂敷装置。该涂敷装置可以将离心机部分旋转时产生的振动降到最低,并可以实现喷嘴的快速更换,可应用于在半导体晶片上或晶片的涂层上形成保护膜。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:

本发明包括底板、处理罩、处理腔、第三支架、喷嘴、驱动旋转机构、承片台及旋转电机,其中处理罩安装在底板上,在处理罩的侧壁上开有供晶片出入的豁口;所述处理腔可升降地安装在底板上,豁口通过处理腔的升降开合,在处理腔上设有驱动旋转机构,该驱动旋转机构的驱动端连接有可旋转的第三支架,所述第三支架上均布有多个可升降的喷嘴,在第三支架下方的处理腔上开有供喷嘴插入、喷射液体的第一通孔;所述旋转电机安装在底板上,旋转电机的驱动端由底板穿过、位于所述处理罩内,在旋转电机的驱动端上安装有固定和旋转晶片的承片台,该承片台位于所述第一通孔的下方。

其中:所述处理腔的上表面沿轴向向上延伸形成环状的凸起,该凸起内部形成凹槽,凸起的内壁上设有延伸部,所述第一通孔开设在该延伸部上、且与处理腔内部连通;所述驱动旋转机构安装在凹槽内;所述处理腔为中空无底的圆盘状结构,其外径小于所述处理罩的内径,处理腔在升降的下限位插入处理罩内,闭合豁口;所述凸起的中心轴线与处理腔的中心轴线偏心设置,第一通孔位于处理腔上表面的中心;所述凹槽的底面为处理腔的上表面,在凹槽的底面上开有第二通孔,该第二通孔连接有排废管;所述处理腔的上边缘以其中心轴线为对称设有两个支撑部,每个支撑部的下方均设有一个安装在底板上的第一驱动升降机构,该第一驱动升降机构的驱动端连接有第一支架,所述支撑部搭接在第一支架上,所述处理腔通过第一驱动升降机构驱动升降;所述第一驱动升降机构位于处理罩的外围;所述喷嘴安装在第二支架的一端,第二支架的另一端连接于安装在第三支架上的第二驱动升降机构,喷嘴通过第二驱动升降机构的驱动升降;所述第三支架的底部为一圆环,圆环中间孔的上方为一中空的柱体,所述驱动旋转机构的驱动端连接于所述柱体内、驱动第三支架旋转;所述圆环上均布有与喷嘴数量相同的第三通孔,每个第三通孔的旋转轨迹均经过所述第一通孔的正上方,在每个第三通孔旁分别设有一个第二驱动升降机构,安装在第二驱动升降机构上的喷嘴插入第三通孔内;所述处理罩为一中空无顶的圆盘状结构,在其侧壁上开有供晶片出入的豁口;所述处理罩的底面及底板上分别开有至少两个排废孔。

本发明的优点与积极效果为:

1.本发明通过驱动旋转机构带动第三支架旋转,通过第三支架的旋转可以实现喷嘴的快速更换。

2.本发明中各个喷嘴固定在第三支架上,通过第三支架的旋转可以实现喷嘴的快速更换,提高了生产效率。

3.本发明各个喷嘴中可以采用不同的液体进行涂敷,增加了本发明的适用范围。

4.本发明与承片台相连的电机固定在底板上,可以有效的缓解电机在旋转时产生的振动。

5.本发明处理腔上表面的凸起内围成的凹槽可以收集各喷嘴在非工作状态时滴落的废液。

6.本发明的凸起与处理腔偏心设置,各喷嘴的工作状态均位于处理腔中心的第一通孔的上方,使喷嘴在工作状态均位于晶片的正上方,这样喷嘴喷射出来的液体即可直接喷射到晶片的中间部位,保证了涂布液膜的均匀性。

7.本发明通过处理腔的升降控制处理罩侧壁上豁口的开合,保证晶片完全在一个封闭的环境内,可有效地减少颗粒降到晶片上,并能保证涂敷的液体不会溅到处理罩外面。

附图说明

图1为本发明的立体结构示意图;

图2为本发明拿掉第三支架后的立体结构示意图;

图3为本发明内部结构剖视图;

图4为图1中处理腔的立体结构示意图;

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