[发明专利]一种丝网印刷网版的优化处理方法有效
申请号: | 201110331326.9 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN103094400A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 孙伟 | 申请(专利权)人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41F15/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 丝网 印刷 优化 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种丝网印刷网版的优化处理方法。
背景技术
太阳能电池,也称光伏电池,是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。
目前晶体硅太阳能电池的制作技术已经基本成熟稳定,基本工艺流程如下所示,包括以下步骤:
S1、化学清洗表面结构化处理:去除硅片表面的机械损伤层,通过化学反应使原本光亮的硅片表面形成凹凸不平的结构,以增加光的吸收,并且清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质;
S2、扩散:P型硅片在扩散后表面变成N型,形成PN结,使得硅片具有光伏效应,扩散的方式可以是三氯氧磷(POCl3)液态源扩散、喷涂磷酸水溶液后链式扩散和丝网印刷磷浆料后链式扩散中的任意一种;
S3、周边刻蚀:去掉扩散时在硅片边缘形成导电层,防止其将PN结两端短路;
S4、PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition,等离子增强化学气相沉积),即沉积减反射膜,用于减反射和钝化;
S5、印刷电极:正面银浆、背场铝浆,主要是为收集电流及导电作用;
S6、烧结:在高温下使印刷的电路与硅片之间形成合金。
上述印刷电极工艺包括印刷正面银浆、背面铝浆及背面电极,其主要技术是通过在印刷机上安装网版,银浆或铝浆透过网版的网孔以形成需要的图形,即太阳能电池的电极,然后再对上浆后的硅片进行高温烧结。
但是,目前生产太阳能电池的净化间级别普遍不高,网版在放置过程中会有少量的灰尘、小颗粒等导致网孔被堵塞。这样的网版在使用时会出现断栅等不良的印刷情况,导致很多太阳能电池外观不合格。
发明内容
针对上述缺陷,本发明实施例提供了一种丝网印刷网版的优化处理方法,用于去除网版上尤其是网孔上的灰尘杂质等,提高网版的印刷质量,从而提高太阳能电池的外观合格率。
一种丝网印刷网版的优化处理方法,所述网版用于对太阳能电池的硅片进行印刷,包括:
在带有网孔的所述网版表面涂抹一层清洗剂,清洗所述网版,清除所述网版网孔上的灰尘或杂质,并将清洗后的所述网版擦拭干净;
将清洗后的所述网版安装在印刷机上,使得所述网版置于所述硅片所在层的上一层;
预先调好的浆料透过所述网版的网孔填入所述硅片表面,印刷成所述太阳能电池的电极图形;
对上浆料后的所述硅片进行烧结,以使得所述浆料与所述硅片形成合金。
本发明实施例中,一种丝网印刷网版的优化处理方法通过在网版表面涂抹一层清洗剂,对网版进行清洗特别清除网版网孔上的灰尘杂质后将网版擦拭干净,再将清洗后的网版安装在印刷机上,太阳能电池所需的浆料透过所述网版的网孔填入所述太阳能电池硅片表面上,形成太阳能电池的电极图形,然后再对上浆料后的硅片进行烧结,从而降低网孔被灰尘杂质等堵塞而引起的断栅等不良印刷情况,提高了网版的印刷质量,提高太阳能电池外观合格率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种丝网印刷网版优化处理的方法的实施例流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种丝网印刷网版的优化处理方法,通过清除网版网孔上的灰尘杂质等,降低印刷时出现的断栅等不良印刷情况,从而提高网版的印刷质量,提高太阳能电池外观的合格率。
请参阅图1,图1为本发明一种丝网印刷网版优化处理的方法的实施例流程图。如图1所示,本发明实施例包括:
110、在带有网孔的所述网版表面涂抹一层清洗剂,清洗所述网版,清除所述网版网孔上的灰尘或杂质,并将清洗后的所述网版擦拭干净;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的