[发明专利]陶瓷基板的加工方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种基板的加工方法，特别是指一种应用于陶瓷基板的加工方法。

背景技术

随着电子元件的微型化及轻型化的发展，现有利用铝板作为基板的技术已逐渐被质量较轻的陶瓷基板所取代，陶瓷基板具有高度的绝缘性、优良的化学安定性、硬度高、耐高温等特性，使得陶瓷基板比铝板更具有良好的基板适性。

一般惯用于在陶瓷基板上加工的方法不外乎：热压合或是高温共烧等方式。但若使用热压合的方式将金属材质成型于陶瓷基板之上时，若金属材质过厚，则会使接合面氧化以及整体的热阻上升等缺点；若金属材质过薄，则使金属材质易于剥离或产生龟裂，降低整体的合格率。因此，热压合的方式常局限于技术的问题。

另一方面，高温共烧的方式，则是受限于须使用高熔点的金属材质，例如钨、锰等金属，此类金属不但提高了整体的电路电阻，且成品的性能也不佳。另外，利用高温共烧的方式更提高了整体工艺的成本。虽近年也改良成低温共烧的方式加工陶瓷基板，但步骤依然繁冗复杂，也无法有效的大幅降低成本。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种陶瓷基板的加工方法，其可使加工后的陶瓷基板的表面易于被一电路结构牢固贴覆于其上。

本发明的又一目的在于提供一种较低成本的陶瓷基板的加工方法。

为了达到上述目的，本发明的一种陶瓷基板的加工方法，包含以下步骤：步骤S1，浸泡陶瓷基板于化学溶液之中，使得该陶瓷基板的表面被该化学溶液蚀刻；以及步骤S2，取出该陶瓷基板，并且将残留在该陶瓷基板上的该化学溶液清除；其中该陶瓷基板浸泡于该化学溶液的时间为两分钟，且操作温度为室温。

优选的，该化学溶液为复合酸。

优选的，步骤S2之后还包含以下步骤：步骤S3，借助催化剂来活化该陶瓷基板的该表面。

优选的，该催化剂包含钯金属。

优选的，步骤S3之后还包含以下步骤：步骤S4，形成电路结构于活化后的该陶瓷基板的该表面上。

优选的，步骤S4包含以下步骤：步骤S411，形成铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；步骤S412，形成锡层于该铜层上；步骤S413，形成图案化光阻层于该锡层上；步骤S414，移除未被该图案化光阻层覆盖的该铜层及该锡层；以及步骤S415，移除该图案化光阻层。

优选的，步骤S411包含以下步骤：利用化学方式形成第一铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；以及利用电镀的方式形成第二铜层于该第一铜层上。

优选的，步骤S4包含以下步骤：形成第一铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；形成图案化光阻层于该第一铜层上；依序形成第二铜层及锡层于未被该图案化光阻层覆盖的该第一铜层上；移除该图案化光阻层；以及移除未被该第二铜层及该锡层覆盖的该第一铜层。

优选的，步骤S2之后还包含以下步骤：步骤S4，形成电路结构于该陶瓷基板的该表面。

优选的，步骤S4包含以下步骤：涂布银膏于该陶瓷基板的该表面上；固化该银膏；以及形成锡层于固化后的该银膏上。

优选的，步骤S4包含以下步骤：形成钼锰合金层于该陶瓷基板的该表面上；形成铜层于该钼锰合金层上；形成锡层于该铜层上；形成图案化光阻层于该锡层上；移除未被该图案化光阻层覆盖的该铜层、该锡层及该钼锰合金层；以及移除该图案化光阻层。

本发明的有益效果在于：本发明的一种在陶瓷基板上的加工方法，其将陶瓷基板浸泡在化学溶液中，得到适宜一可使电路结构牢固地形成于上的表面状态(表面粗糙度)，即可取出该陶瓷基板并清洗之。本发明即可用一种较少的步骤达到在陶瓷基板上形成一电路结构的目的。

附图说明

图1为本发明的陶瓷基板的加工方法的第一较佳实施例的流程图；

图2为本发明的陶瓷基板的加工方法的第二较佳实施例的流程图；

图3为本发明的陶瓷基板的加工方法的第三较佳实施例的流程图；

图4为图2或图3所示的加工方法所制成的陶瓷基板的结构示意图；

图5为本发明的陶瓷基板的加工方法的第四较佳实施例的流程图；

图6为图5所示的加工方法所制成的陶瓷基板的结构示意图；

图7为本发明的陶瓷基板的加工方法的第五较佳实施例的流程图；以及

图8为图7所示的加工方法所制成的陶瓷基板的结构示意图。

其中：

1陶瓷基板                                         2电路结构