[发明专利]陶瓷基板的加工方法

权利要求书

1.一种陶瓷基板的加工方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤S1，浸泡陶瓷基板于化学溶液之中，使得该陶瓷基板的表面被该化学溶液蚀刻；

以及步骤S2，取出该陶瓷基板，并且将残留在该陶瓷基板上的该化学溶液清除；

其中该陶瓷基板浸泡于该化学溶液的时间为两分钟，且操作温度为室温。

2.如权利要求1所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，该化学溶液为复合酸。

3.如权利要求1所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S2之后还包含以下步骤：步骤S3，借助催化剂来活化该陶瓷基板的该表面。

4.如权利要求3所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，该催化剂包含钯金属。

5.如权利要求3所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S3之后还包含以下步骤：步骤S4，形成电路结构于活化后的该陶瓷基板的该表面上。

6.如权利要求5所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S4包含以下步骤：

步骤S411，形成铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；

步骤S412，形成锡层于该铜层上；

步骤S413，形成图案化光阻层于该锡层上；

步骤S414，移除未被该图案化光阻层覆盖的该铜层及该锡层；

以及步骤S415，移除该图案化光阻层。

7.如权利要求6所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S411包含以下步骤：

利用化学方式形成第一铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；

以及利用电镀的方式形成第二铜层于该第一铜层上。

8.如权利要求5所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S4包含以下步骤：

形成第一铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上；

形成图案化光阻层于该第一铜层上；

依序形成第二铜层及锡层于未被该图案化光阻层覆盖的该第一铜层上； 

移除该图案化光阻层；

以及移除未被该第二铜层及该锡层覆盖的该第一铜层。

9.如权利要求1所述的陶瓷基板的加工方法，步骤S2之后还包含以下步骤：步骤S4，形成电路结构于该陶瓷基板的该表面。

10.如权利要求9所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S4包含以下步骤：

涂布银膏于该陶瓷基板的该表面上；

固化该银膏；

以及形成锡层于固化后的该银膏上。

11.如权利要求9所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S4包含以下步骤：

形成钼锰合金层于该陶瓷基板的该表面上；

形成铜层于该钼锰合金层上；

形成锡层于该铜层上；

形成图案化光阻层于该锡层上；

移除未被该图案化光阻层覆盖的该铜层、该锡层及该钼锰合金层；

以及移除该图案化光阻层。