[发明专利]浸没液体、曝光装置及曝光方法

权利要求书

1.一种光刻装置，包括：

隔膜，液体不能渗透所述隔膜，而气体能够渗透所述隔膜；

液体源，所述液体源适于将液体流供给至所述隔膜的第一侧；以 及

气体源，所述气体源适于将气体流供给至所述隔膜的第二侧，其 中所述气体流扩散通过所述隔膜而溶入液体中。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述液体是水。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述水是超纯水。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体包括二氧化碳。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述气体是二氧化碳与一 种或多种惰性气体的混合物。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述一种或多种惰性气体 的包括氮气。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，与所述气体相溶的所述液 体具有低于6.0的pH值。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括：

投影系统，所述投影系统将图案化图像投影到衬底上；

用于支撑所述衬底的衬底台；

浸没罩，用于将浸没液体限制在所述投影系统的最终元件与所述 衬底之间的空间。

9.根据权利要求8所述的装置，还包括电压发生器，所述电压发生 器功能性地连接到所述光刻装置的第一部件、以及功能性地连接到所述 光刻装置的第二部件；所述电压发生器能够在所述第一部件与所述第二 部件之间建立电压差。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一部件是所述衬底 台，并且所述第二部件是浸没罩。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一部件是设置在所述 衬底台上的传感器或传感器板，并且所述第二部件是浸没罩。

12.一种器件制造方法，包括从构图装置将图案转移到衬底上，其 中，液体设置在隔膜的一侧，气体设置在所述隔膜的另一侧；

其中，所述气体扩散通过所述隔膜而溶入所述液体中。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括在光刻装置的浸没罩与衬 底台之间建立电压差。