[发明专利]具有预图案化表面特征的磁记录盘及其平坦化方法

权利要求书

1.一种磁记录盘，包括：

衬底，具有基本平坦的表面；

在该衬底上的包括磁记录材料的多个高企的槽脊，所述槽脊具有在该衬底表面之上的上表面；

在所述槽脊之间的该衬底上的多个凹陷部，所述凹陷部具有比所述槽脊的上表面低的下表面以及从所述下表面延伸的侧壁；

与所述凹陷部的下表面和侧壁接触的化学机械抛光(CMP)停止层；

在所述凹陷部中的包含硅和氧的填充材料；以及

在所述凹陷部中的在所述CMP停止层和所述填充材料之间并接触所述CMP停止层和所述填充材料的粘合膜。

2.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述粘合膜实质上由硅构成。

3.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述粘合膜和填充材料一起形成硅和氧的连续层，所述连续层具有随厚度逐渐增加的氧含量，其中所述氧含量在靠近所述CMP停止层处最低。

4.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述填充材料包括硅氧化物，其中氧化学配比在SiO_0.1和SiO_2.2之间。

5.如权利要求4所述的磁记录盘，其中所述粘合膜是实质上由硅构成的基本无氧的膜。

6.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述粘合膜具有大于或等于0.1nm且小于或等于3nm的厚度。

7.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述粘合膜选自下列材料构成的组：Ti、Ta、V、Cr；Ti、Ta、V或Cr的合金；Ti、Ta、V或Cr的氧化物；以及Ti、Ta、V或Cr的氮化物。

8.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述CMP停止层由选自非晶碳和硅氮化物(SiN_x)的材料形成。

9.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述CMP停止层是包括碳和硅的交替膜的多层。

10.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述CMP停止层也位于所述槽脊的上表面上。

11.如权利要求10所述的磁记录盘，还包括嵌入在所述槽脊的上表面上的所述CMP停止层的上表面中的硅。

12.如权利要求10所述的磁记录盘，其中所述槽脊上的所述CMP停止层的上表面与所述凹陷部中的所述填充材料的上表面基本共面。

13.如权利要求12所述的磁记录盘，还包括所述槽脊上的所述CMP停止层和所述凹陷部中的所述填充材料的基本共面的上表面上的润滑层。

14.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述槽脊的上表面和所述凹陷部中的所述填充材料的上表面基本共面，且所述磁记录盘还包括在所述基本共面的上表面上的保护外涂层。

15.如权利要求14所述的磁记录盘，还包括在所述保护外涂层上的润滑层。

16.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述槽脊中的所述磁记录材料具有基本垂直于所述衬底的表面的磁各向异性。

17.如权利要求1所述的磁记录盘，还包括位于所述衬底表面上并在所述槽脊和凹陷部之下的软磁衬层(SUL)以及位于所述SUL上并在所述槽脊和凹陷部之下的交换中断层(EBL)。

18.如权利要求1所述的磁记录盘，还包括位于所述衬底之上并在所述槽脊和凹陷部之下的磁材料层。

19.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述磁记录盘是离散道介质盘，且其中所述槽脊包括径向间隔开的同心道，且具有填充材料的所述凹陷部包括径向间隔开的在所述道之间的防护带。

20.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述磁记录盘是位图案化介质盘，且其中所述槽脊包括离散的数据岛，具有填充材料的所述凹陷部包括所述数据岛之间的区域。

21.如权利要求1所述的磁记录盘，其中所述槽脊包括基本径向指向的伺服块，所述凹陷部包括所述伺服块之间的区域。