[发明专利]穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法无效
| 申请号： | 201110317237.9 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103066009A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李浩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿透 填充 工艺 方法 | ||
1.一种穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一表面形成有绝缘层的硅衬底，采用光刻刻蚀工艺对所述绝缘层刻蚀形成接触孔，所述接触孔位于所述绝缘层中并和所述硅衬底表面接触；然后，采用光刻刻蚀工艺对所述绝缘层和所述硅衬底进行刻蚀形成穿透硅的通孔，所述穿透硅的通孔穿透所述绝缘层并进入到所述硅衬底中；
步骤二、淀积第一衬垫层，所述第一衬垫层位于所述接触孔和所述穿透硅的通孔的侧壁和底部表面、以及其它区域的绝缘层表面；
步骤三、在所述第一衬垫层上淀积第一层钨，所述第一层钨将所述接触孔完全填充；
步骤四、对所述第一层钨进行第一次回刻，所述第一次回刻停留在所述第一衬垫层上；
步骤五、在所述第一次回刻后形成的表面上淀积第二衬垫层；
步骤六、在所述第二衬垫层上淀积第二层钨；对所述第二层钨进行第二次回刻，所述第二次回刻停留在所述第二衬垫层上；
步骤七、重复步骤六直至所述穿透硅的通孔被钨完全填满；
步骤八、采用化学机械研磨工艺将所述硅衬底上的所述绝缘层表面的钨、所述第一衬垫层和所述第二衬垫层全部去除。
2.如权利要求1所述穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，其特征在于：步骤二中淀积的所述第一衬垫层由依次淀积的钛和氮化钛组成，所述第一衬垫层的钛的厚度为所述第一衬垫层的氮化钛的厚度为
3.如权利要求1所述穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，其特征在于：步骤三中所述第一层钨的厚度为
4.如权利要求1所述穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，其特征在于：步骤五中所述第二衬垫层为氮化钛，所述第二衬垫层的厚度为
5.如权利要求1所述穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，其特征在于：步骤六中所述第二层钨的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
