[发明专利]一种纳米压印模板的制备方法

权利要求书

1.一种纳米压印模板的制备方法，包括如下步骤：

(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层；

(2)在所述缓冲层上贴布粘连层；

(3)在粘连层上粘附硬质衬底；

(4)对经步骤(3)处理后的模板进行压印处理；

(5)去除压印处理后的模板的基底层；

(6)对去除基底层后的模板进行两步干法刻蚀，即获得纳米压印模板。

2.根据权利要求1所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述的多孔阳极氧化铝模板(PAT)包括Al基底层和多孔氧化层。

3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述的缓冲层为热可固化或紫外可固化的光刻胶经旋涂烘烤后凝固而成。

4.根据权利要求1-3之一所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述粘连层对紫外光透明。

5.根据权利要求1-4之一所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述硬质衬底对紫外光透明。

6.根据权利要求1-5之一所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述Al基的去除是通过在温度在10℃以下、质量分数低于10％的低温低浓度下采用置换反应实现。

7.根据权利要求2-6之一所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述两步干法刻蚀包括第一步干法刻蚀和第二步干法刻蚀，其中，第一步干法刻蚀在Cl₂、BCl₃或Ar气氛中进行，用于对去除Al基底层后的多孔氧化层底部的阻挡层进行刻蚀；第二步干法刻蚀在纯O₂气氛中进行，用于对多孔氧化层孔洞中的光刻胶进行刻蚀，以得到所需要的图形深度。

8.根据权利要求7所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述第二步干法刻蚀的刻蚀深度高于多孔氧化层的孔洞深度。

9.根据权利要求7所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，所述第二步干法刻蚀的刻蚀深度低于多孔氧化层的孔洞深度。

10.根据权利要求1-9之一所述的纳米压印模板的制备方法，其特征在于，在旋涂所述缓冲层前，先在多孔氧化层表面自组装一层单分子防粘层。