[发明专利]一种光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，提供具有光刻图案的晶片，其特征在于，该方法包括：

所述光刻图案进行离子掺杂；

离子掺杂后的光刻图案进行等离子体处理或者紫外线加工，在所述光刻图案表面形成平滑层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子掺杂的元素是碳、氟、硼或氩元素。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子掺杂是浅注入，所述浅注入剂量范围是E10～E15原子每平方厘米；注入能量范围是1～10电子伏特。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理在微波灰化反应腔中进行；所述微波灰化反应腔中的压强范围是300毫托到2000毫托。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的等离子体反应的时间范围是20到100秒；所述等离子体处理的等离子体反应功率范围是500瓦到3000瓦；所述等离子体处理的等离子体反应温度范围是200摄氏度到300摄氏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理中通入氧气的流量范围是2000标况毫升每分钟到8000标况毫升每分钟；通入氮气或者氢气的流量范围是：500标况毫升每分钟到1000标况毫升每分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外线加工采用的紫外线的波长是400纳米。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述紫外线加工分为两步：第一步、所述紫外线加工所用的紫外线发射管旋转照射所述离子掺杂后的光刻图案，所述紫外线发射管在0到180度范围内旋转，所述紫外线发射管的旋转速率范围是：6转每秒到10转每秒，第一次照射时间范围是60秒到120秒，所述紫外线发射管的功率范围是：50瓦到200瓦；

第二步、所述紫外线发射管在90到270度范围内旋转，所述紫外线发射管的旋转速率范围是：6转每秒到10转每秒，第一次照射时间范围是60秒到120秒，所述紫外线发射管的功率范围是：50瓦到200瓦。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平滑层的厚度范围是1到10纳米。