[发明专利]有机场致发光元件、显示装置及照明装置

说明书

本申请以日本专利申请2011-050622(申请日：2011年3月8日)为基础，由该申请享受优先权。本申请参照该申请，从而包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及有机场致发光元件以及使用了该元件的显示装置及照明装置。

背景技术

近年来，作为用于新一代显示器或照明的发光技术，有机场致发光元件(以下，也称为有机EL元件)正备受瞩目。有机EL元件的研究初期主要使用荧光作为有机层的发光机理。但是，近年来，正集中关注于使用了内部量子效率更高的磷光的有机EL元件。

近年来的发光层构成的主流是在由有机材料构成的主体材料中掺杂以铱或铂等为中心金属的发光性金属络合物而成的构成。发光层中的主体材料大致分为低分子系和高分子系。包含低分子系主体材料的发光层主要通过真空共蒸镀低分子系主体材料和发光掺杂剂而成膜。包含高分子系主体材料的发光层主要通过涂敷将高分子系主体材料和发光掺杂剂混合而成的溶液而成膜。作为高分子系主体材料的代表例，可以举出聚乙烯基咔唑(PVK)。

在使用高分子材料作为主体材料时，如果电荷在高分子材料中流过，则产生材料自身引起分解或副反应而成为其它的物质等因各种机理使高分子材料自身劣化的问题。特别是已知聚乙烯基咔唑为电荷不易流过的材料，为了流过电荷，需要施加高电压。因此，对材料赋予超出需要的负载，由此容易产生材料的劣化。由此，要求一种即使电荷流过也不易产生劣化的主体材料。另外，使用这样的材料也关系到有机EL元件的长寿命化。

发明内容

本发明所要解决的课题为提供通过使用不易产生因电荷流过而引起的劣化的主体材料，使寿命及亮度提高了的有机场致发光元件以及使用了该元件的显示装置及照明装置。

根据实施方式，可以提供一种有机场致发光元件，具备：相互分开配置的阳极及阴极；配置于所述阳极和所述阴极之间且包含主体材料及发光掺杂剂的发光层。其特征在于，作为所述主体材料，包含含有下述式(1)所示的二苯并噻吩骨架作为重复单元的聚合物。

化学式1

(式中，n为20～10000的整数)

根据所述实施方式，可以提供通过使用不易产生因电荷流过而引起的劣化的主体材料，使寿命及亮度提高了的有机场致发光元件以及使用了该元件的显示装置及照明装置。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的有机场致发光元件的剖面图。

图2是表示实施方式所涉及的显示装置的电路图。

图3是表示实施方式所涉及的照明装置的剖面图。

图4是表示实施例及比较例所涉及的有机场致发光元件的EL光谱的图。

图5是表示实施例及比较例所涉及的有机场致发光元件中的电流密度和发光效率的关系的图。

图6是比较实施例及比较例所涉及的有机场致发光元件的寿命的图。

具体实施方式

以下，边参照附图边对实施方式进行说明。

图1是表示实施方式所涉及的有机场致发光元件的剖面图。

有机场致发光元件10具有在基板11上依次形成阳极12、空穴传输层13、发光层14、电子传输层15、电子注入层16及阴极17而成的构造。根据需要形成空穴传输层13、电子传输层15及电子注入层16。

以下，对实施方式所涉及的有机场致发光元件的各部件进行详细说明。

发光层14为具有如下功能的层：分别从阳极侧接收空穴、从阴极侧接收电子，提供空穴和电子的再结合的场所而使其发光。利用该结合发出的能量激发发光层中的主体材料。能量从激发状态的主体材料向发光掺杂剂移动，由此使发光掺杂剂成为激发状态，发光掺杂剂再次恢复到基态时进行发光。

发光层14采用在由有机材料构成的主体材料中掺杂发光性金属络合物(以下，称为发光掺杂剂)的构成。在本实施方式中，作为主体材料，使用包含含有下式(1)所示的二苯并噻吩结构作为重复单元的聚合物的材料。以下，也将下述式(1)所示的聚合物称为聚乙烯基二苯并噻吩(PVDBT)。

化合物2

在上述式(1)中，n为20～10000的整数。在n低于20时，通常难以定义为高分子，将其用作主体材料时的涂敷制膜性也不良好。另一方面，如果n大于10000，则难以溶于溶剂，缺乏作为主体材料的适合性。作为上述式(1)所示的聚合物，特别优选使用数均分子量为400～200万的聚合物。