[发明专利]可变电容装置、天线模块及通信装置无效
申请号: | 201110308940.3 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102543440A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 石田武久;永井信之;加藤祐作 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01G5/16 | 分类号: | H01G5/16;H01G5/18;H01Q5/00;H04B1/38 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可变电容 装置 天线 模块 通信 | ||
1.一种可变电容装置,包括:
固定部件;
固定电极,所述固定电极的第一端侧由所述固定部件固定;
致动器元件,所述致动器元件的第一端侧由所述固定部件直接或间接固定;
可动电极,被配置为直接或间接连接至所述致动器元件,并且被设置为基本面向所述固定电极;以及
驱动部,用于使所述致动器元件的第二端侧变形,以改变所述固定电极与所述可动电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述的可变电容装置,还包括:
多个所述致动器元件;以及
连接部件,用于在各个所述致动器元件的第二端侧与所述可动电极的第一端侧之间进行连接。
3.根据权利要求2所述的可变电容装置,还包括:
连结部件,用于在各个所述致动器元件的第二端侧与所述连接部件之间进行连结,
其中,所述连结部件具有等于或小于各个所述致动器元件的硬度的硬度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,其中,设置有多组所述固定电极和所述可动电极。
5.根据权利要求4所述的可变电容装置,其中,利用多组所述固定电极和所述可动电极所形成的多个可变电容元件彼此并联、串联或以二者组合的方式连接。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,
其中,所述固定电极通过在面向所述可动电极的表面上使用彼此电分离的多个子电极而构成,
所述可变电容装置还包括电容值检测部,用于检测利用多个所述子电极中的一个所述子电极和所述可动电极所形成的监控用可变电容元件的电容值,以及
所述驱动部通过利用由所述电容值检测部所检测出的所述监控用可变电容元件的电容值来控制所述致动器元件的变形量。
7.根据权利要求6所述的可变电容装置,其中,所述驱动部控制所述致动器元件的变形量,以使所检测出的所述监控用可变电容元件的电容值与预定的目标值基本一致。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,还包括:
位移量检测部,用于检测所述可动电极的位移量,
其中,所述驱动部通过利用由所述位移量检测部检测出的所述位移量来控制所述致动器元件的变形量。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,其中,所述固定电极具有包括导体层和设置在所述导体层的可动电极一侧上的介电层的层叠结构。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,其中,所述致动器元件是聚合物致动器元件。
11.根据权利要求10所述的可变电容装置,
其中,所述聚合物致动器元件包括:
一对电极膜,以及
插入所述一对电极膜之间的高分子膜。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的可变电容装置,其中,所述致动器元件是压电元件或双金属元件。
13.一种天线模块,包括:
天线元件;以及
可变电容装置,
其中,所述可变电容装置包括:
固定部件;
固定电极,所述固定电极的第一端侧由所述固定部件固定;
致动器元件,所述致动器元件的第一端侧由所述固定部件直接或间接固定;
可动电极,被配置为直接或间接连接至所述致动器元件,并且被设置为基本面向所述固定电极;以及
驱动部,用于使所述致动器元件的第二端侧变形,以改变所述固定电极与所述可动电极之间的距离。
14.一种通信装置,包括:
天线模块,包括天线元件和可变电容装置,
其中,所述可变电容装置包括:
固定部件;
固定电极,所述固定电极的第一端侧由所述固定部件固定;
致动器元件,所述致动器元件的第一端侧由所述固定部件直接或间接固定;
可动电极,被配置为直接或间接连接至所述致动器元件,并且被设置为基本面向所述固定电极;以及
驱动部,用于使所述致动器元件的第二端侧变形,以改变所述固定电极与所述可动电极之间的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110308940.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:紧凑型双触头安全按钮开关
- 下一篇:半导体存储器件及其测试电路和测试操作方法