[发明专利]Ag/SnO2复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110307129.3 申请日: 2011-10-11
公开(公告)号: CN102321838A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 申乾宏;陈乐生;乔秀清;樊先平;杨辉 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C22C32/00 分类号: C22C32/00;C22C1/05;B22F1/02;H01H1/0237
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: ag sno sub 复合材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种银基复合材料的制备方法,具体的说,是一种Ag/SnO2复合材料的制备方法。

背景技术

电接触材料及元件是电器工业的核心基础,担负着接通与分断电流的任务,其性能直接影响到整机设备的通断容量、使用寿命和运行可靠性。Ag/CdO电接触复合材料并从五十年代开始大规模应用,具有耐电弧、抗熔焊、耐电气和机械磨损、耐腐蚀和低接触电阻以及良好的加工性等优点,在较大的工作电压或电流范围内,都表现出优良的电接触性能,被称为“万能触点材料”,在此后的几十年Ag/CdO电接触复合材料一直占据着市场的主导。进入二十一世纪,环境保护日益受到世界各国重视,2003年2月欧盟颁布了RoHS指令和WEEE指令,对电子电器设备中含Cd材料的应用进行限制,掀起了Ag/CdO替代电接触材料研究的热潮。近十年来,研究人员围绕环保型无Cd电接触复合材料开展了大量的研究工作,其中最具代表性的是Ag/SnO2材料。

通常,Ag/SnO2材料是采用SnO2颗粒与Ag直接复合制得,由此获得的Ag/SnO2具有较好的耐电弧侵蚀、抗熔焊和耐磨损等性能。但是,由于SnO2密度(6.38g/cm3)比基体Ag的密度(10.53g/cm3)小,在Ag/SnO2复合材料因电弧侵蚀形成微熔池后,SnO2会上浮富集于材料表面形成不易导电的SnO2熔渣,导致电接触材料接触电阻增大,表面温升过高,电性能劣化。因此,通过新的制备方法改善Ag/SnO2材料的微观结构,以进一步获得更好的性能,成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有电接触材料体系的不足,提供Ag/SnO2复合材料的一种新的制备方法。

为解决技术问题,本发明提供了一种Ag/SnO2复合材料的制备方法,具体包括如下步骤:

(1)在搅拌条件下将氨水与pH值为1~3的SnCl4·5H2O的酸性水溶液同时滴加到质量分数为5%的WC悬浮水溶液中,使反应体系的pH值为2~4,Sn与W的摩尔比为1∶10~1∶4;在50~90℃条件下反应1~12h后,将悬浮液过滤、洗涤,真空干燥后煅烧,获得具有核壳包覆结构的复合SnO2颗粒;

(2)将上述复合SnO2颗粒与银粉球磨混合均匀,复合SnO2颗粒占混合粉体总质量的8%~20%,得到混合粉体;

(3)将混合均匀后的粉体通过等静压压制成坯体,然后依次经过烧结、复压、复烧工艺,最后热挤压成型获得Ag/SnO2复合材料。

本发明中,所述步骤(1)中煅烧温度为400~800℃,煅烧时间为2h。

本发明中,所述复合SnO2颗粒的粒径范围为0.05μm~1μm,银粉的粒径范围为0.1~50μm。

本发明中,步骤(2)所述球磨工艺中,球磨转速范围为50~200r/min,球料比范围1∶1~10∶1,球磨时间1~24h。

本发明中,步骤(3)中所述等静压压强范围50~500MPa。

本发明中,步骤(3)中所述烧结工艺,是指在氢气气氛保护下烧结,烧结温度600~900℃,烧结时间1~12h。

本发明中,步骤(3)中所述复压工艺,是在500~800℃下进行热压,压强范围200~700MPa,保温时间10~60min。

本发明中,步骤(3)中所述复烧工艺,是指在氢气气氛保护下再次烧结,烧结温度700~900℃,烧结时间1~12h。

本发明中,步骤(3)中所述热挤压成型工艺中,模具预热温度200~700℃,坯料温度300~900℃,挤压比范围为10~200,挤压速度为1~10cm/min。

与现有Ag/SnO2材料的制备方法相比,本发明的有益效果是:

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