[发明专利]Z5°高品质压电水晶的生产工艺有效

专利信息
申请号: 201110304424.3 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN103031591A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 赵世强 申请(专利权)人: 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B29/18
代理公司: 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 代理人: 黄军委
地址: 454650 河南省焦作*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: z5 品质 压电 水晶 生产工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种Z5°高品质压电水晶,具体的说,涉及了一种Z5°高品质压电水晶的生产工艺。

背景技术

Z5°高品质压电水晶对Q值、腐蚀隧道、包裹体的要求较高,需要采用有效的控制技术才能生产出高品质音叉产品所需要的压电水晶;现有的Z5°高品质压电水晶的生产工艺落后,致使生产效率低、产品价格昂贵,且产品合格率低、产品质量不高。

为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足,从而提供了一种工艺简单、易于控制产品品质、成本低、可靠性高的Z5°高品质压电水晶的生产工艺。

为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种Z5°高品质压电水晶的生产工艺,该生产工艺包括以下步骤:

步骤1、获取大规格普通压电籽晶,并选取Z5°切型F1级腐蚀隧道压电籽晶;

步骤2、分别将大规格普通压电籽晶和Z5°切型F1级腐蚀隧道压电籽晶挂装到普通压电挡片和5度压电挡片上,然后,再将普通压电挡片和5度压电挡片分别绑定在同一晶架上;其中,采用平挂方式绑定5度压电挡片,所述5度压电挡片是横截面呈L形的压电挡片,且上一层所述5度压电挡片与下一层所述5度压电挡片关于所述晶架的横向平面中心线对称设置;采用竖挂方式绑定普通压电挡片;

步骤3、在高压釜内放入石英和水晶生长溶液,并将装挂好的晶架放入高压釜中,密封,执行水晶生长工艺,直至停釜,即可。

本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著进步,具体的说,该生产工艺巧妙的运用了现有工艺,从而保证了Z5°高品质压电水晶对于腐蚀隧道和Q值的要求,其具有工艺简单、易于控制产品品质、成本低、可靠性高的优点;在同一高压釜中生长两种不同的产品,满足了小批量、高品质产品的生产需要,提高了原晶生长企业对于市场的应对能力,而且,在同一长晶条件下,通过两种不同产品的混装,利于产品品质的控制。

具体实施方式

下面通过具体实施方式,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

一种Z5°高品质压电水晶的生产工艺,该生产工艺包括以下步骤:

步骤1、获取大规格普通压电籽晶,并选取Z5°切型F1级腐蚀隧道压电籽晶;

步骤2、分别将大规格普通压电籽晶和Z5°切型F1级腐蚀隧道压电籽晶挂装到普通压电挡片和5度压电挡片上,然后,再将普通压电挡片和5度压电挡片分别绑定在同一晶架上;其中,采用平挂方式绑定5度压电挡片,所述5度压电挡片是横截面呈L形的压电挡片,且上一层所述5度压电挡片与下一层所述5度压电挡片关于所述晶架的横向平面中心线对称设置;采用竖挂方式绑定普通压电挡片;

步骤3、在高压釜内放入石英和水晶生长溶液,并将装挂好的晶架放入高压釜中,密封,执行水晶生长工艺,直至停釜,即可。

采用平挂方式生长压电水晶,虽然牺牲了部分产量,但可以达到对其高品质的保证。

选取Z5°切型F1级腐蚀隧道压电籽晶,达到了对Q值、腐蚀隧道的控制,采用挡片和装挂方式的配合,达到对包裹体的控制。

针对多种装挂方式进行对比试验,不难发现,将平挂生长方式和竖挂大规格压电籽晶生长方式相结合,利于生产Z5°高品质压电水晶。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本发明技术方案的精神,其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

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