[发明专利]非易失性存储器系统及管理其电源的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119(a)要求申请日为2010年9月29日的第10-2010-0094638号韩国专利申请的优先权，上述专利申请的全部内容包括在本申请中作为参考。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器系统及管理其电源的方法。

背景技术

至少一个实施例涉及存储器系统，并且更具体地，涉及非易失性存储器系统及管理其电源的方法。

对支持大容量的非易失性存储器系统的需求已经越来越多。非易失性存储器系统是一种利用非易失性半导体存储器的数据存储系统。闪速存储器装置是一种通常用在便携式电子设备中的非易失性存储器系统。闪速存储器与硬盘一样是非易失的，并且具有很快的存取速度和低功耗，因此广泛应用于嵌入式系统或移动系统中。

闪速转换层(FTL)是用于管理闪速存储器的软件。FTL接收来自文件系统的逻辑地址，并将逻辑地址转换成物理地址。所述逻辑地址是在文件系统中可识别的地址，所述物理地址是在闪速存储器中可识别的地址。FTL引用地址映射表来管理地址映射。地址映射表存储逻辑地址和与逻辑地址相对应的物理地址。地址映射表的大小可以随映射单元而变化。页映射方法、块映射方法和混合映射方法均是常见的映射方法。

在页映射方法中，映射以页为单元来执行。在块映射方法中，映射以块为单元来执行。在混合映射方法中，页映射方法和块映射方法两者均被使用。

通常，单一的块包括几十或几百页。因此，在页映射方法中映射表的大小是块映射方法中映射表大小的几十或几百倍。换句话说，在页映射方法中的地址映射表使用了比在块映射方法中的地址映射表更多的存储器。

通常在易失性的随机存取存储器(RAM)中驱动地址映射表。当地址映射表被加载到并用于静态RAM(SRAM)时，因为SRAM的尺寸很小，通常使用块映射方法。当地址映射表被加载到并用于大容量动态RAM(DRAM)时，通常使用页映射方法。

使用DRAM使待机电流和工作电流增大，导致了非易失性数据存储装置和包括非易失性数据存储装置的电子系统(例如便携式电子系统)的功耗增大。

发明内容

至少一些实施例提供了降低使用高电流消耗的易失性存储器的数据存储装置的功耗的非易失性存储器系统，和管理其电源的方法。

至少一些实施例还提供了通过管理在不同类型的易失性存储器中的地址映射表来降低功耗的非易失性存储器系统，和管理其电源的方法。

根据至少一些实施例，提供了一种非易失性存储器系统，包括：非易失性存储器，配置为存储包括与针对非易失性存储器中的代码区域的逻辑地址相对应的物理地址和逻辑地址的列表和与针对非易失性存储器中的通用(GP)区域的逻辑地址相对应的物理地址和逻辑地址的列表的第一映射表，所述GP区域配置为存储用户数据和应用程序中的至少一个；和控制器，配置为从非易失性存储器加载第一映射表到第一易失性存储器和从非易失性存储器加载第二映射表到第二易失性存储器。第二易失性存储器配置为独立于控制器接收电压。

另一个实施例公开了一种非易失性存储器系统，包括：第一易失性存储器；第二易失性存储器；非易失性存储器，配置为存储包括非易失性存储器中的代码区域的地址信息的第一映射表和包括非易失性存储器中的通用(GP)区域的地址信息的第二映射表，所述GP区域配置为存储用户数据和应用程序中的至少一个；和控制器，配置为从非易失性存储器加载第一映射表到第一易失性存储器和从非易失性存储器加载第二映射表到第二易失性存储器。第二易失性存储器配置为独立于控制器接收电压。

第二存储器的加电可相对于非易失性存储器系统的加电有延时。当不必访问非易失性存储器中的GP区域时，第二存储器可以断电。

非易失性存储器可以划分为配置为存储引导(boot)代码的代码区域、GP区域、配置为存储第一映射表的第一映射表区域、配置为存储第二映射表的第二映射表区域和配置为存储映射管理器信息的映射管理器区域，所述映射管理器信息包括第一映射表的地址信息和第二映射表的地址信息。

控制器配置为扫描非易失性存储器中的映射管理器区域，提取第一映射表的地址信息，根据第一映射表的地址信息加载第一映射表到第一易失性存储器，使用第一映射表从代码区域读取引导代码，和发送引导代码。

控制器配置为：如果控制器处理对于GP区域的访问，则在非易失性存储器接收能量之后，提供能量给第二易失性存储器。