[发明专利]一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法无效

专利信息
申请号: 201110299423.4 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN102321813A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 杨斌;王炜;徐宝强;杨成林;刘大春;戴永年;邓勇;熊恒;刘新阳;秦博;郁青春;曲涛;马文会;姚耀春 申请(专利权)人: 昆明理工大学;云南锡业集团有限责任公司研究设计院
主分类号: C22B30/04 分类号: C22B30/04
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650093 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 还原 氧化 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其特征在于含有以下步骤:

(1)将木炭或焦炭放入真空炉还原剂料层,将纯度为80%以上的三氧化二砷放入还原剂料层下部的挥发坩埚中;

(2)将真空炉抽真空至10~200Pa后,以10~20℃/min的速度将碳层加热至500~900℃;

(3)再将三氧化二砷加热至300~500℃,使其挥发自下而上的通过还原剂层、被还原,保温2~6h,得到砷蒸气;

(4)砷蒸气进入冷凝器在50~200℃条件下凝结为固体粗砷,其纯度达到95%以上。

2.根据权利要求1所述的一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其特征在于:所述的步骤(2)碳层加热至500~900℃。

3.根据权利要求1所述的一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其特征在于:所述的步骤(2)中以20℃/min的速度将碳层加热。

4.根据权利要求1所述的一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其特征在于:所述的步骤(3)中三氧化二砷加热至300~500℃。

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