[发明专利]一种共阴、共阳封装二极管对的测试方法

权利要求书

1.一种共阴、共阳封装二极管对的测试方法，分别测试两臂两个二极管各自的击穿电压、反向漏电流和正向导通电压，并且比较每组数据的差别，差别范围设定为±5%；测试和比较两臂两个二极管的瞬态热阻：通电时间为0.38~2ms的冷态导通电压值（Vonl）与通电时间为10~100ms的热态导通电压值（Vonr）的差值；每个二极管各自的冷热态导通电压之差不大于100-300mV，两臂两个二极管的这个差值之差不能大于15-30 mV；满足上述条件的为良品。

2.根据权利要求1所述的共阴、共阳封装二极管对的测试方法，其特征是：所述测试的正向导通电压，包括不同电流条件下的正向导通电压。

3.根据权利要求2所述的共阴、共阳封装二极管对的测试方法，其特征是：不同电流条件，是指1/2产品规范值至2倍产品规范值之间的值。

4.根据权利要求1所述的共阴、共阳封装二极管对的测试方法，其特征是：所述的共阴、共阳封装二极管对是肖特基势垒二极管、快恢复二极管或发光二极管（LED）中的一种。