[发明专利]喷涂光刻胶的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造加工领域，特别涉及一种在半导体衬底上均匀 喷涂光刻胶的方法。

背景技术

通常，在制造半导体器件时，半导体衬底上光刻胶的均匀性是非常关键 的质量参数。如果所述光刻胶没有被均匀涂覆，则在后续工艺中会导致分辨 率差等问题，从而直接影响光刻效果。

用来均匀涂覆光刻胶的方法包括旋涂(Spin Coating)法，旋涂法是在圆 盘形支撑体上放置晶圆，并在所述晶圆中央滴落光刻胶之后使基板旋转，从 而在离心力的作用下使光刻胶平铺晶圆表面。

现有技术中，通常采用两种涂胶方式，静态涂胶和动态涂胶。其中，静 态涂胶是指，光刻胶在硅片静止时被滴在硅片中央，静止滴胶后，硅片首先 低速旋转，使光刻胶均匀铺开，一旦光刻胶到达硅片边缘，转速被加速到设 定的转动速度。另一种方法，动态涂胶是在硅片慢速旋转(例如100-200rpm) 时滴胶，这是为了均匀覆盖硅片，然后加速到设定的转速。如公开号为CN 1206933A的中国专利申请，其公开了光刻胶通过固定在晶片上方一特定位置 的喷嘴喷出，而晶片安装在旋转卡具上并以一额定转速旋转。

不管上述的何种涂胶方式，滴胶喷嘴都是固定位于晶圆的中心位置处喷 胶，以离心力平铺晶圆表面。如图1所示的光刻胶喷涂方法示意图。然而， 随着生产工艺进步，光刻胶均匀性指标需要进一步提高，配套的光刻胶喷涂 工艺技术参数需要更加细化。尤其对于大尺寸晶圆，现有的固定喷嘴喷涂光 刻胶的方法已完全不能满足均匀涂覆光刻胶的需求。

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足，提供一种喷涂光刻胶的方法，解决现 有技术中存在的光刻胶喷涂时易出现图形不完全填充的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种喷涂光刻胶的方法，包括：

提供待喷涂加工的晶圆；

提供喷嘴，用于将光刻胶喷洒在所述晶圆表面上；

将喷嘴沿晶圆半径方向水平移动并喷洒光刻胶，所述喷嘴从晶圆边缘的 起始位置上方水平移动至晶圆的中心位置上方。

可选的，所述晶圆边缘的起始位置是距圆周至之间区域的任一位 置，所述R是晶圆半径。

可选的，在喷嘴从晶圆边缘的起始位置上方水平移动至晶圆的中心位置 上方之后，晶圆加速至设定转动速度转动，对喷涂的光刻胶甩胶。

可选的，所述晶圆的设定转动速度为1500-4000转/分钟。

可选的，所述喷嘴在晶圆边缘的起始位置上方与晶圆的中心位置上方悬 停预定时间。

可选的，所述悬停预定时间为0.5s～1s。

可选的，所述喷嘴沿晶圆半径方向水平移动过程中，晶圆转动。

可选的，所述喷嘴以恒定速度沿晶圆半径方向水平移动，晶圆以恒定转 动速度转动。

可选的，所述喷嘴沿半径方向的水平移动速度为30-100毫米/秒。

可选的，所述晶圆的恒定转动速度为500-1000转/分钟。

可选的，所述喷嘴以恒定速度沿晶圆半径方向水平移动，所述喷嘴在晶 圆边缘的起始位置上方时，晶圆的起始转动速度为r1；之后，晶圆加速至r2， 并以恒定转速r2转动；当所述喷嘴移动至晶圆的中心位置上方时，晶圆减速 至终止转动速度r3，所述终止转动速度r3小于r2，所述r1小于r2。

可选的，所述晶圆的转动速度r1、r2、r3为500-1000转/分钟，所述晶圆 的起始转动速度r1＜r2，所述晶圆的终止转动速度r3＜r2。

可选的，所述喷嘴距离晶圆的高度为4mm-8mm，所述喷嘴的内径为 0.5mm-4mm，所述光刻胶的流速为1ml/s-2ml/s。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

1、本发明通过滴胶喷嘴沿晶圆半径方向水平移动并喷洒光刻胶，晶圆的 转动速度与喷嘴的水平移动速度按照既定工艺参数来执行，解决了光刻胶喷 涂时晶圆上图形(沟槽、孔等)不完全填充的问题，从而保证了晶圆上光刻 胶喷涂的均匀性。

2、本发明喷涂光刻胶的方法，喷嘴的移动路径只需要从晶圆边缘的起始 位置至晶圆的中心位置上方，移动路径短，节省了喷涂光刻胶的时间，尤其 适用于大尺寸的晶圆。