[发明专利]双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法

权利要求书

1.双上炉体连续加料硅单晶炉，包括：

主机架；

下炉体，所述下炉体设置在所述主机架上；

其特征在于，所述双上炉体连续加料硅单晶炉还包括双上炉体组件，所述双上炉体组件包括两个分立设置的左上炉体及右上炉体。

2.根据权利要求1所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述左上炉体包括：

左上炉筒；

左籽晶头单元，所述左籽晶头单元设置在所述左上炉筒的一端；

左上炉体晶棒定位装置，所述左上炉体晶棒定位装置设置在所述左上炉筒的外侧；

左上炉隔离阀，所述左上炉隔离阀设置在所述左上炉筒的另外一端。

3.根据权利要求2所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述左上炉体及所述右上炉体为对称设计。

4.根据权利要求3所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述左上炉体、所述右上炉体及下炉体分别通过左上炉体提升装置、右上炉体提升装置及下炉体提升装置与所述主机架连接。

5.根据权利要求1或2所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述下炉体包括：

下炉筒，所述下炉筒与所述主机架连接；

下炉盖，所述下炉盖设置在所述下炉筒的上端；

竖直隔离阀，所述竖直隔离阀设置在所述下炉筒的上端，所述下炉筒及所述左上炉筒通过所述竖直隔离阀及所述左上炉隔离阀连接；

连续加料装置接口，所述连续加料装置接口与所述下炉盖连接。

6.根据权利要求5所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述双上炉体连续加料硅单晶炉还进一步包括设置在所述上炉体组件后端的气体装置。

7.根据权利要求6所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述气体装置包括：

真空单元，所述真空单元包括相互分立设置的左上炉体真空单元、右上炉体真空单元及下炉体真空单元，所述左上炉体真空单元、所述右上炉体真空单元及所述下炉体真空单元分别与所述左上炉筒、所述右上炉筒及下炉筒连接；

氩气单元，所述氩气单元与所述真空单元分立设置，所述氩气单元设置在所述与所述左上炉筒、所述右上炉筒及下炉筒连接；

水冷单元，所述水冷单元与所述下炉筒组件及双上炉体组件连接。

8.根据权利要求5所述的双上炉体连续加料硅单晶炉，其特征在于，所述双上炉体连续加料硅单晶炉还进一步包括设置在所述下炉筒下端的炉体升降单元。

9.双上炉体连续加料硅单晶炉的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在所述下炉筒内放置原料，所述下炉筒与所述左上炉筒连接，加工第一根晶棒；

第二步，将完成加工的第一根晶棒提拉至所述左上炉筒内，通过所述左上炉隔离阀封闭所述左上炉筒，并对所述左上炉筒进行抽真空及充入氩气；

第三步，通过所述右上炉隔离阀封闭所述右上炉筒，并且将所述右上炉筒与所述下炉筒对接；

第四步，通过所述连续加料装置接口往所述下炉筒添加原料；

第五步，通过所述右上炉筒完成第2根晶棒的加工。

10.根据权利要求9所述的双上炉体连续加料硅单晶炉的使用方法，其特征在于，所述第三步中，将所述右上炉筒与所述下炉筒对接后需要等到将所述右上炉筒及所述下炉筒压力相等后，再开启所述右上炉体隔离阀与竖直隔离阀。