[发明专利]通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法

权利要求书

1. 一种提供半导体结构的方法，包括：

通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构；

利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；

从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及

从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述多个沟包括以牺牲结构的布置来结构化所述衬底，所述布置限定通过从所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构而形成的腔的尺寸。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述多个沟包括使用外延工艺和Venetia工艺中的至少一种在与所述多个沟相关联的所述第一主表面的至少一部分上形成层。

4. 根据权利要求1所述的方法，还包括：

在覆盖所述多个沟之后在所述第一主表面上产生半导体结构。

5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个沟包括具有比所述多个沟中的其他沟更小的尺寸的至少一个沟，所述方法还包括：

在形成所述牺牲结构之后选择性地闭合在所述第一主表面的具有更小的尺寸的所述至少一个沟。

6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述选择性闭合在覆盖所述多个沟之前，所述方法还包括：

在选择性地闭合具有更小的尺寸的所述至少一个沟之前，在所述多个沟内淀积内衬材料；

执行具有更小的尺寸的所述至少一个沟的选择性闭合；

从不具有更小的尺寸的所述其他沟去除所述内衬材料；

其中，在从所述第二主表面蚀刻期间，邻近其中所述内衬材料已被去除的沟的牺牲结构被蚀刻掉，并且由其中所述内衬材料被保留的沟界定的结构未被蚀刻掉。

7. 根据权利要求1所述的方法，其中，通过从所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构而形成的腔具有锥形横截面。

8. 根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成围绕邻近所述多个沟的区域的内部结构的周围沟；以及

覆盖所述周围沟。

9. 根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述牺牲结构之前：

在所述衬底的主表面上产生电绝缘层；以及

在所述电绝缘层上淀积衬底材料的外层，结果所述外层的暴露表面是所述第一主表面；

其中，所述多个沟的蚀刻从所述外层的所述暴露表面进行，并且至少延伸到所述电绝缘层。

10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法提供用于将机械量转换为电量的传感器结构，所述方法还包括：

在通过蚀刻掉所述牺牲结构而形成的腔的壁，提供用于将所述机械量转换为所述电量的换能元件。

11. 根据权利要求1所述的方法，还包括：

蚀刻邻近所述牺牲结构的另一个沟；

其中，在所述另一个沟和通过蚀刻所述牺牲结构而限定的至少一个腔之间形成壁。

12. 一种用于将机械量转换为电量的微机电传感器结构，包括：

具有主表面的衬底；

形成于所述衬底中的第一腔；以及

接近所述第一腔形成于所述衬底中并且通过薄片与所述第一腔分离的第二腔；

其中，所述第一腔具有第一腔尺寸并且所述第二腔具有第二腔尺寸，所述第一腔尺寸和所述第二腔尺寸在平行于所述主表面的方向上延伸，其中，所述第一腔尺寸和所述第二腔尺寸之间的比率等于或大于5。

13. 根据权利要求12所述的微机电传感器结构，其中，所述第一腔尺寸和所述第二腔尺寸之间的所述比率等于或大于10。

14. 根据权利要求12所述的微机电传感器结构，其中，所述第一腔具有1μm至1mm之间的宽度并且所述第二腔具有10nm至800nm之间的宽度。

15. 根据权利要求12所述的微机电传感器结构，其中，所述第一腔是压力入口并且所述第二腔是闭合压力参考体积。