[发明专利]矩阵式超级电容有效
申请号: | 201110291327.5 | 申请日: | 2011-09-25 |
公开(公告)号: | CN102394181A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 原国平;原澎涛;原澎越 | 申请(专利权)人: | 原国平 |
主分类号: | H01G9/26 | 分类号: | H01G9/26;H01G9/004;H01G9/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩阵 超级 电容 | ||
1.矩阵式超级电容,它包含至少一个电容矩阵,所述的电容矩阵包含至少一个电容模块,所述的电容模块包括有主基板(1)、副基板(2)、盖板(3)、线路板(4)和若干个单体电容(5),其特征在于:所述的主基板(1)上有若干个凹窝(6),若干个单体电容(5)的底部分别插入凹窝(6)内;副基板(2)上有数量与凹窝(6)相等、位置与凹窝(6)对应的台阶式通孔(7),若干个单体电容(5)的顶部分别插入台阶式通孔(7),单体电容(5)的电极穿过所述的台阶式通孔(7)与线路板(4)焊接,线路板(4)通过螺钉(8)固定在副基板(2)上;副基板(2)的上一侧引出有与线路板(4)相连接的导线线束(11);主基板(1)、副基板(2)、盖板(3)通过螺钉(10)固定成一个整体。
2.根据权利要求1所述的矩阵式超级电容,其特征在于在所述的凹窝(6)内放置一个阻燃硅橡胶防震垫圈(9)。
3.根据权利要求1所述的矩阵式超级电容,其特征在于所述的凹窝(6)与单体电容(5)的底部形成过渡配合,所述的台阶式通孔(7)与单体电容(5)的顶部形成过渡配合。
4.根据权利要求1所述的矩阵式超级电容,其特征在于当电容矩阵多于1个时,电容矩阵之间并联。
5.根据权利要求1所述的矩阵式超级电容,其特征在于当电容矩阵多于1个时,电容矩阵之间串联。
6.根据权利要求1或4或5所述的矩阵式超级电容,其特征在于所述的电容矩阵由电容模块并联。
7.根据权利要求1或4或5所述的矩阵式超级电容,其特征在于所述的电容矩阵由电容模块串联。
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