[发明专利]化学机械抛光方法有效

专利信息
申请号: 201110288857.4 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102328272A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 路新春;王同庆;曲子濂;何永勇 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B24B37/02 分类号: B24B37/02;B24B49/02
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 化学 机械抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种化学机械抛光方法,其特征在于,包括:

A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值;

B)根据所述多个点的膜厚前值对所述晶圆进行化学机械抛光;和

C)利用所述终点测量装置测量所述多个点的膜厚后值,并根据所述多个点的膜厚后值来判断所述晶圆的表面抛光厚度是否均匀,如果所述晶圆的表面抛光厚度不均匀,则根据所述多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对所述晶圆进行化学机械抛光直至所述晶圆的表面抛光厚度均匀。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述步骤A)包括:

A-1)利用抛光头夹持所述晶圆并使所述晶圆与抛光垫接触,其中所述晶圆的中心与所述终点测量装置对应;和

A-2)所述抛光头自转且相对于所述抛光垫往复运动以使所述终点测量装置测量所述晶圆上的所述多个点的膜厚前值,其中所述抛光垫静止。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述步骤C)包括:

C-1)利用所述抛光头夹持所述晶圆并使所述晶圆与所述抛光垫接触,其中所述晶圆的中心与所述终点测量装置对应;

C-2)所述抛光头自转且相对于所述抛光垫往复运动以使所述终点测量装置测量所述晶圆上的所述多个点的膜厚后值,其中所述抛光垫静止;

C-3)计算所述多个点的膜厚后值中的最大值与最小值的差值,如果所述最大值与所述最小值的差值不大于预定值,则所述晶圆的表面抛光厚度均匀,否则所述晶圆的表面抛光厚度不均匀;和

C-4)如果所述晶圆的表面抛光厚度不均匀,分别计算所述多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值以便得到所述多个点的膜厚去除值,根据所述多个点的膜厚去除值对所述晶圆进行化学机械抛光直至所述最大值与所述最小值的差值不大于所述预定值。

4.根据权利要求3所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述预定值为100纳米。

5.根据权利要求2或3所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述往复运动为往复平移。

6.根据权利要求5所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述抛光头沿所述抛光垫的径向往复平移。

7.根据权利要求5所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述往复平移的行程为50mm-300mm。

8.根据权利要求2或3所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述往复运动的频率为5次/分钟-40次/分钟。

9.根据权利要求8所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述往复运动的频率为10次/分钟-30次/分钟。

10.根据权利要求2或3所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述抛光头的转速为60rpm-120rpm。

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