[发明专利]一种集成高倍聚光太阳电池模块无效
申请号: | 201110284359.2 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102339887A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 陈吉堃 | 申请(专利权)人: | 陈吉堃 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/05;H01L31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 高倍 聚光 太阳电池 模块 | ||
1.一种集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,所述集成高倍聚光太阳电池包括:
高倍聚光太阳电池芯片的电极结构;
陶瓷覆铜基板的电路结构;
旁路二极管的布局;
高倍聚光太阳电池模块的集成。
2.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述高倍聚光太阳电池芯片包括:
单晶硅(Si)太阳电池芯片、砷化镓(GaAs)太阳电池芯片、砷化镓/镓铟磷(GaAs/GaInP)双结太阳电池芯片、锗/铟镓砷/镓铟磷(Ge/InGaAs/GaInP)三结太阳电池芯片、或硅(Si)衬底锗/铟镓砷/镓铟磷(Ge/InGaAs/GaInP)异质衬底太阳电池芯片。
3.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述高倍聚光太阳电池芯片的电极结构为具有单边压焊盘的梳状电极。
4.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述陶瓷覆铜基板包括:氧化铝(Al2O3)陶瓷覆铜基板或氮化铝(Al2N)陶瓷覆铜基板。
5.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述陶瓷覆铜基板的电路结构包括在陶瓷基板的上表面腐蚀或刻蚀出串联表贴太阳电池芯片和旁路二极管的电路。
6.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述旁路二极管的布局是在最外圈的高倍聚光太阳电池芯片中,每个太阳电池芯片都相反极性地并联一个二极管。
7.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,
所述高倍聚光太阳电池模块的集成是指将太阳电池芯片串联表贴在陶瓷基板上;在最外圈的高倍聚光太阳电池芯片中,每个太阳电池芯片都相反极性地并联一个旁路二极管;在串联太阳电池芯片的两端各表贴2个接线端子;用金丝、金带、铝丝或铝带将太阳电池芯片的单边压焊盘与邻近的陶瓷覆铜基板焊接相连;然后在陶瓷基板上表面涂覆透明硅胶集成而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈吉堃,未经陈吉堃许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110284359.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便携式起动用应急电源
- 下一篇:一种灯管结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的