[发明专利]一种集成高倍聚光太阳电池模块无效

专利信息
申请号: 201110284359.2 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102339887A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 陈吉堃 申请(专利权)人: 陈吉堃
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/05;H01L31/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 高倍 聚光 太阳电池 模块
【权利要求书】:

1.一种集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,所述集成高倍聚光太阳电池包括:

高倍聚光太阳电池芯片的电极结构;

陶瓷覆铜基板的电路结构;

旁路二极管的布局;

高倍聚光太阳电池模块的集成。

2.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述高倍聚光太阳电池芯片包括:

单晶硅(Si)太阳电池芯片、砷化镓(GaAs)太阳电池芯片、砷化镓/镓铟磷(GaAs/GaInP)双结太阳电池芯片、锗/铟镓砷/镓铟磷(Ge/InGaAs/GaInP)三结太阳电池芯片、或硅(Si)衬底锗/铟镓砷/镓铟磷(Ge/InGaAs/GaInP)异质衬底太阳电池芯片。

3.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述高倍聚光太阳电池芯片的电极结构为具有单边压焊盘的梳状电极。

4.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述陶瓷覆铜基板包括:氧化铝(Al2O3)陶瓷覆铜基板或氮化铝(Al2N)陶瓷覆铜基板。

5.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述陶瓷覆铜基板的电路结构包括在陶瓷基板的上表面腐蚀或刻蚀出串联表贴太阳电池芯片和旁路二极管的电路。

6.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述旁路二极管的布局是在最外圈的高倍聚光太阳电池芯片中,每个太阳电池芯片都相反极性地并联一个二极管。

7.如权利要求1所述的集成高倍聚光太阳电池模块,其特征在于,

所述高倍聚光太阳电池模块的集成是指将太阳电池芯片串联表贴在陶瓷基板上;在最外圈的高倍聚光太阳电池芯片中,每个太阳电池芯片都相反极性地并联一个旁路二极管;在串联太阳电池芯片的两端各表贴2个接线端子;用金丝、金带、铝丝或铝带将太阳电池芯片的单边压焊盘与邻近的陶瓷覆铜基板焊接相连;然后在陶瓷基板上表面涂覆透明硅胶集成而成。

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