[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一导电类型的基板；

位于所述基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第一电极，所述第一电极电连接到所述发射极层；

第一保护层，所述第一保护层位于所述发射极层的没有布置所述第一电极的正表面上；

背表面场层，所述背表面场层位于所述基板的另一表面处；

第二电极，所述第二电极电连接到所述背表面场层；和

第二保护层，所述第二保护层位于所述基板的没有布置所述第二电极的背表面上，

其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均由具有与所述第一导电类型相同的导电类型的固定电荷的材料形成，并且

所述背表面场层局部地位于所述基板的背表面处。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均包含具有负固定电荷的氧化铝AlOx或氧化钇Y₂O₃。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一保护层和所述第二保护层每一个均具有大约1.55至1.7的折射率和大约5nm至30nm的厚度。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层形成在所述基板的与所述第二电极相同的位置处。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层的宽度等于或小于所述第二电极的宽度。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层的宽度大于所述第二电极的宽度。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述背表面场层具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。

8.根据权利要求2所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第一保护层上的第一防反射层，

其中，所述第一防反射层由具有正固定电荷的氮化硅SiNx形成。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第二保护层的背表面上的第二防反射层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第二防反射层由具有正固定电荷的氮化硅SiNx形成。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层和所述第二防反射层每一个均具有大约1.9至2.3的折射率和大约50nm至100nm的厚度。

12.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一电极由银Ag和铝Al的混合物Ag:Al形成，并且所述第二电极由银Ag形成。

13.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一电极和所述第二电极具有相同的宽度。

14.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述基板由掺杂磷P的n型硅晶片形成，并具有大约1Ω·cm²至10Ω·cm²的电阻率。

15.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述发射极层包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域轻掺杂有所述第二导电类型的杂质，所述第二掺杂区域比所述第一掺杂区域更重地掺杂有所述第二导电类型的杂质。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域形成在所述基板的与所述第一电极相同的位置处。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域的宽度等于或小于所述第一电极的宽度。

18.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域的宽度大于所述第一电极的宽度。

19.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂区域具有大约80Ω/sq至200Ω/sq的表面电阻率。

20.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂区域具有大约30Ω/sq至80Ω/sq的表面电阻率。