[发明专利]形成光电转换层的方法

权利要求书

1.一种形成光电转换层的方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板，并于该第一基板上形成一电极层；

于该电极层上形成一第一金属前驱物层，其中该第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分；

提供一第二基板，并于该第二基板上形成一非金属前驱物层，其中该非金属前驱物层包括至少一种非金属成分；

堆栈该第一基板与该第二基板，使该非金属前驱物层与该第一金属前驱物层接触；以及

进行一热工艺，以使该第一金属前驱物层与该非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。

2.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层利用一溅镀工艺加以形成。

3.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该非金属前驱物层利用一蒸镀工艺加以形成。

4.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一基板与该第二基板分别包括一含钠玻璃基板。

5.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层包括一单层结构金属前驱物层。

6.根据权利要求5所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该单层结构金属前驱物层为一单一金属前驱物层。

7.根据权利要求5所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该单层结构金属前驱物层为一合金前驱物层。

8.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层包括一多层结构金属前驱物层，且该多层结构金属前驱物层包括多层互相堆栈的金属前驱物薄膜。

9.根据权利要求8所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一单一金属前驱物薄膜。

10.根据权利要求8所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该多层结构金属前驱物层的其中至少一该金属前驱物薄膜为一合金前驱物薄膜。

11.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，更包括于该第二基板上形成该非金属前驱物层之前，先于该第二基板上形成一第二金属前驱物层。

12.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括至少一种B族金属元素，且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括一种A族非金属元素。

13.根据权利要求12所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括铟、铜与镓，且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括硒。

14.根据权利要求13所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，更包括于该第二基板上形成该非金属前驱物层之前，先于该第二基板上形成一第二金属前驱物层，其中该第二金属前驱物层包括至少一种金属成分，且该金属成分包括镓。

15.根据权利要求12所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括铜、锌与锡，且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括硫。

16.根据权利要求12所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该第一金属前驱物层的该多种金属成分包括镉，且该非金属前驱物层的该至少一种非金属成分包括碲。

17.根据权利要求1所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该热工艺包括一多阶段快速热工艺或一单一阶段热工艺。

18.根据权利要求17所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该多阶段快速热工艺包括依序进行一低温热工艺与一高温热工艺。

19.根据权利要求18所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该低温热工艺的一工艺温度大体上介于80℃至140℃之间，该低温热工艺的一工艺时间大体上介于15分钟至20分钟，该高温热工艺的一工艺温度大体上介于500℃至560℃之间，且该高温热工艺的一工艺时间大体上小于10分钟。

20.根据权利要求18所述的形成光电转换层的方法，其特征在于，该多阶段快速热工艺另包括于该低温热工艺与该高温热工艺之间进行一中温热工艺。