[发明专利]一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110267190.X | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832251A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王彬 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 半透明 igzo 薄膜晶体管 | ||
1.一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；其特征在于，栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域，并在缓冲保护层的两端的顶部区域形成对准标记层；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上；在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层；源、漏两极分别位于半导体层的顶部的两侧，半导体层被源极和漏极所覆盖，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，在通道中覆盖保护层。
2.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，保护层采用SiO2薄膜。
3.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述塑料衬底的厚度为25μm。
4.如权利要求3所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，IGZO薄膜，呈现非晶结构，可见光的透过率达到80％以上，In∶Ga∶Zn的原子比为10∶10∶3。
5.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，缓冲保护层与栅绝缘层采用氮化硅。
6.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，源极、漏极采用ITO材料。
7.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，对准标记层采用Cr材料。
8.如权利要求1所述的柔性半透明IGZO薄膜晶体管，其特征在于，栅电极采用ITO材料。
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