[发明专利]高线性度上混频器

说明书

技术领域

本发明关于一种高线性度上混频器，特别是关于一种内嵌基带滤波器的高线性度上混频器。

背景技术

常用的发射机结构有超外差结构、零中频结构、数字中频结构等。超外差结构发射机是基于模拟器件实现两次上变频功能，最大的优点是具有良好的选择特性，也就是强干扰信号下对小信号的处理核选择能力。超外差结构的设计已经非常成熟，性能和集成度不断提高，在各类无线通信系统中已经广泛应用。

零中频发射机是超外差发射机的基于零中频技术的改进，模拟射频部分与超外差发射机相同，不同的是省去了模拟中频级的处理，直接进行上变频，这样结构上更为简单。图1为现有技术中一种零中频发射机的结构示意图。如图1所示，零中频发射机由正交两路数模转换器、正交两路基带滤波器、单边带上混频器和功率放大器构成，其工作原理为：数字基带IQ信号(I_DAC<N:1>与Q_DAC<N:1>)经过数模转换器数模转换变为模拟IQ信号，模拟IQ信号经基带滤波器后，分别与正交的两路本振信号(LO_Q与LO_I)混频后进行叠加，转变为模拟射频调制信号，并经功率放大器输出(TX_OUT)，其中的上混频器由高线性度电压到电流转换电路和上混频器核心电路构成，如图2所示，高线性度电压到电流转换电路用以将经基带滤波器滤波后的基带信号(BB_INP与BB_INN)转换为电流信号，上混频核心电路则用以将高线性度电压到电流转换电路输出的电流信号同LO信号进行混频，输出高线性混频信号(MIX_OP与MIX_ON)。

然而，这种结构的发射机由于同时拥有基带滤波器和上混频器，具有芯片面积大与产生较大电流的缺点，因此实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。

发明内容

为克服现有技术中发射机由于同时具有基带滤波器和上混频存在占用芯片面积大与电流大的不足，本发明的主要目的在于提供一种高线性度上混频器，其通过内嵌基带滤波器，将基带滤波器和上混频器结合在一起，从而减少了芯片面积并且降低了电流。

为达上述及其它目的，本发明提供一种高线性度上混频器，包括电压/电流转换电路及上混频器核心电路，该电压/电流转换电路具有差分信号正输入端及差分信号负输入端，以分别接收I路或Q路的正基带电压信号与负基带电压信号，该电压/电流转换电路将接收到的该正基带电压信号与该负基带电压信号进行低通滤波后并转换为第二电流信号及第一电流信号输出至该上混频器核心电路，以与本振信号混频后输出高线性混频信号。

进一步地，该电压/电流转换电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻、第二电容、第四电阻、第三电容、第五电阻、第四电容以及一运算放大电路，其中该第一电阻一端接至该正基带电压信号，另一端接至该第一电容，该第一电容另一端接地，该第二电阻一端与该第一电阻、该第一电容连接，另一端连接至该第二电容与该运算放大电路之一输入端，该第二电容另一端接至该运算放大电路之第二低通滤波输出电压输出端；该第四电阻一端接至该负基带电压信号，另一端接至该第三电容，该第三电容另一端接地，该第五电阻一端与该第四电阻、该第三电容连接，另一端连接至该第四电容与该运算放大电路之另一端，该第四电容另一端接至该运算放大电路之第一低通滤波输出电压输出端。

进一步地，该电压/电流转换电路还包含第三电阻与第六电阻，其中该第三电阻一端连接至该第一电阻、该第二电阻及该第一电容的共同端，另一端与该运算放大电路之第二低通滤波输出电压输出端相连，该第六电阻一端连接至该第四电阻、该第五电阻及该第三电容的共同端，另一端与该运算放大电路之第一低通滤波输出电压输出端相连。