[发明专利]高线性度上混频器有效
申请号: | 201110264420.7 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102332866A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 迮德东 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H03D7/12 | 分类号: | H03D7/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 混频器 | ||
1.一种高线性度上混频器,包括电压/电流转换电路及上混频器核心电路,该电压/电流转换电路具有差分信号正输入端及差分信号负输入端,以分别接收I路或Q路的正基带电压信号与负基带电压信号,其特征在于:该电压/电流转换电路将接收到的该正基带电压信号与该负基带电压信号进行低通滤波后并转换为第二电流信号及第一电流信号输出至该上混频器核心电路,以与本振信号混频后输出高线性混频信号。
2.如权利要求1所述的高线性度上混频器,其特征在于:该电压/电流转换电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻、第二电容、第四电阻、第三电容、第五电阻、第四电容以及一运算放大电路,其中该第一电阻一端接至该正基带电压信号,另一端接至该第一电容,该第一电容另一端接地,该第二电阻一端与该第一电阻、该第一电容连接,另一端连接至该第二电容与该运算放大电路之一输入端,该第二电容另一端接至该运算放大电路之第二低通滤波输出电压输出端;该第四电阻一端接至该负基带电压信号,另一端接至该第三电容,该第三电容另一端接地,该第五电阻一端与该第四电阻、该第三电容连接,另一端连接至该第四电容与该运算放大电路之另一端,该第四电容另一端接至该运算放大电路之第一低通滤波输出电压输出端。
3.如权利要求2所述的高线性度上混频器,其特征在于:该电压/电流转换电路还包含第三电阻与第六电阻,其中该第三电阻一端连接至该第一电阻、该第二电阻及该第一电容的共同端,另一端与该运算放大电路之第二低通滤波输出电压输出端相连,该第六电阻一端连接至该第四电阻、该第五电阻及该第三电容的共同端,另一端与该运算放大电路之第一低通滤波输出电压输出端相连。
4.如权利要求3所述的高线性度上混频器,其特征在于:该运算放大电路包括包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管、第一电流源、第三NMOS管、第二电流源、第四NMOS管、第三电流源、第五NMOS管、第七电阻、第六NMOS管、第八电阻、第三PMOS管、第四电流源、第四PMOS管及第五电流源,其中该第一PMOS管与该第二PMOS管源极接该第一电流源,该第一PMOS管栅极接该第二电阻,漏极与该第一NMOS管漏极相接,该第二PMOS管栅极该第五电阻,漏极与该第二NMOS管漏极相接,该第一NMOS管栅极与该第二NMOS管栅极均接至一控制电压,源极共同接地,该第三NMOS管源极接至该第一PMOS管之漏极,漏极接该第二电流源,该第四NMOS管源极接至该第二PMOS管之漏极,漏极接该第三电流源,该第五NMOS管栅极接至该第三NMOS管漏极,源极通过该第七电阻接地,漏极输出该第二电流信号,该第六NMOS管栅极接至该第四NMOS管漏极,源极通过该第八电阻接地,漏极输出该第一电流信号,该第三PMOS管栅极接该第五NMOS管源极,源极接该第四电流源,并输出该第二低通滤波输出电压,该第四PMOS管栅极接该第六NMOS管源极,源极接该第五电流源,并输出该第一低通滤波输出电压。
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