[发明专利]充放电控制电路以及电池装置无效

专利信息
申请号: 201110263523.1 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102403756A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 樱井敦司;小池智幸;佐野和亮;前谷文彦 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放电 控制电路 以及 电池 装置
【权利要求书】:

1.一种充放电控制电路,其通过一个双向导通型场效应晶体管来控制二次电池的充放电,其特征在于,该充放电控制电路具有:

控制电路,其与所述二次电池的两端连接,监视所述二次电池的电压;

开关电路,其具有第一端子和第二端子,通过所述控制电路的输出来控制所述双向导通型场效应晶体管的栅极;

第一PN结元件,其与所述开关电路的第一端子和所述双向导通型场效应晶体管的漏极连接;以及

第二PN结元件,其与所述开关电路的第一端子和所述双向导通型场效应晶体管的源极连接。

2.根据权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,所述第一PN结元件和所述第二PN结元件由肖特基势垒二极管构成。

3.根据权利要求1所述的充放电控制电路,其特征在于,所述双向导通型场效应晶体管的背栅与所述开关电路的第一端子连接。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的充放电控制电路,其特征在于,所述开关电路由如下元件构成:

P沟道MOS晶体管,其栅极与所述控制电路的输出端连接,漏极与所述双向导通型场效应晶体管的栅极连接,源极与所述第二端子连接;以及

N沟道MOS晶体管,其栅极与所述控制电路的输出端连接,漏极与所述双向导通型场效应晶体管的栅极连接,源极与所述第一端子连接。

5.根据权利要求4所述的充放电控制电路,其特征在于,所述控制电路的负极电源端子与所述开关电路的第一端子连接。

6.根据权利要求1~3中的任意一项所述的充放电控制电路,其特征在于,所述开关电路由如下元件构成:

P沟道MOS晶体管,其栅极与所述控制电路的输出端连接,漏极与所述双向导通型场效应晶体管的栅极连接,源极与所述第一端子连接;以及

N沟道MOS晶体管,其栅极与所述控制电路的输出端连接,漏极与所述双向导通型场效应晶体管的栅极连接,源极与所述第二端子连接。

7.根据权利要求6所述的充放电控制电路,其特征在于,所述控制电路的正极电源端子与所述开关电路的第一端子连接。

8.一种电池装置,该电池装置具有:

可充放电的二次电池;

一个双向导通型场效应晶体管,其是设置在所述二次电池的充放电路径上的充放电控制开关;以及

权利要求1所述的充放电控制电路,其监视所述二次电池的电压,对所述充放电控制开关进行开闭,由此控制所述二次电池的充放电。

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