[发明专利]束流调节装置及离子注入系统无效
| 申请号： | 201110262807.9 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983048A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;陈炯;钱锋 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;王婧荷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 装置 离子 注入 系统 | ||
1.一种束流调节装置，其特征在于，其包括至少一对磁性杆，每对磁性杆中的两个磁性杆相互对置、且该两个磁性杆的相互对置的两端极性相反。
2.如权利要求1所述的束流调节装置，其特征在于，该至少一对磁性杆均为永磁杆。
3.如权利要求1或2所述的束流调节装置，其特征在于，各对磁性杆的位置、每对磁性杆中的两个磁性杆之间的距离以及每对磁性杆中的两个磁性杆的极性中的一种或多种可调。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的束流调节装置，其特征在于，该磁性杆的对数为两对以上，且各对磁性杆中的两个磁性杆的连线方向相互平行。
5.一种离子注入系统，其包括一离子束，其特征在于，该离子注入系统包括一如权利要求1所述的束流调节装置，各对磁性杆中的两个磁性杆均分别位于该离子束的两侧。
6.如权利要求5所述的离子注入系统，其特征在于，该至少一对磁性杆均为永磁杆。
7.如权利要求5或6所述的离子注入系统，其特征在于，各对磁性杆的位置、每对磁性杆中的两个磁性杆之间的距离以及每对磁性杆中的两个磁性杆的极性中的一种或多种可调。
8.如权利要求5-7中任意一项所述的离子注入系统，其特征在于，各对磁性杆的位置、每对磁性杆中的两个磁性杆之间的距离以及每对磁性杆中的两个磁性杆的极性为：使得该离子束被调节均匀。
9.如权利要求5-7中任意一项所述的离子注入系统，其特征在于，该离子束为带状离子束，各对磁性杆中的两个磁性杆的连线方向均沿着该离子束的横截面的宽度方向，各对磁性杆的位置、每对磁性杆中的两个磁性杆之间的距离以及每对磁性杆中的两个磁性杆的极性为：使得该离子束在横截面的长度方向上被调节均匀。
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