[发明专利]一种自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元

权利要求书

1.一种自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元，包括由上拉PMOS管P1、上拉PMOS管P2、下拉NMOS管N1、下拉NMOS管N2、传输NMOS管N5和传输NMOS管N6构成的标准6管存储单元结构上，所述标准6管存储单元结构连接有存储单元的读写字线WL和作为互补位线的位线BL与位线BLB，其特征在于，标准6管存储单元结构上增加有可调节传输管与下拉管强度的NMOS管N3、NMOS管N4这两个晶体管，构成8管存储单元，

NMOS管N3的栅极接数据存储结点QB，漏极接数据存储结点Q，源极则接列选字线CL；

NMOS管N4的栅极接数据存储结点Q，漏极接数据存储结点QB，源极则同样接列选字线CL。

2.根据权利要求1所述的自动调节传输管与下拉管强度的8管存储单元，其特征在于，所述8管存储单元以m条读写字线，m条列选字线，以及n对互补位线构成m X n阵列，阵列执行写操作时，当m条读写字线中的一条为高，m条列选字线中的一条为高，数据通过n对互补的位线写入；当m条读写字线中的一条为高，m条列选字线全为低，数据通过n对互补的位线读出。