[发明专利]激光退火片台装置有效
申请号: | 201110256442.9 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102306620A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 张建富;冯平法;吴志军;郁鼎文;荣子光;张云亮;郑书友 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/268 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及一种用于集成电路制造中的硅晶片激光退火片台装置。
背景技术
激光退火是超浅结制作工艺中重要的热处理环节。在进行硅晶片激光退火处理时,需要实现硅晶片相对激光光源的精密平面运动,同时为了降低能量阈值,需要对硅晶片辅以加热。而较高温度的热源又会对下方运动平台的直线电机、精密导轨等产生影响,导致运动误差加大。在装片和取片时,通过真空镊子等工具将硅晶片安放在托盘上,后从托盘上取下,同时,需要有装卸辅助机构进行辅助以使硅晶片放置的位置准确、方便装片和卸片。而现有的装卸片辅助机构结构较为复杂,操作十分不便。
发明内容
本发明旨在至少解决上述技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种具有结构简单、卸片方便、受外界干扰较小的激光退火片台装置。
根据本发明实施例的激光退火片台装置,包括:底座、炉壳、加热组件、隔热组件、托盘和卸片组件,所述炉壳内限定有炉腔,所述炉腔的上表面敞开,所述炉壳支撑在所述底座上;所述加热组件设在所述炉腔内;所述隔热组件设在所述加热组件与所述炉壳的内壁之间;所述托盘设在所述炉壳的顶面上且设有沿托盘轴向贯通的通孔;所述卸片组件设在所述底座上且位于所述炉壳与所述底座之间,所述卸片组件包括多个顶针和驱动组件,所述驱动组件用于驱动所述多个顶针沿上下方向移动以便每个所述顶针能够向上穿过对应的所述通孔向上伸出所述托盘的上表面。
根据本发明实施例的激光退火片台装置结构简单,对硅晶片加热均匀。在安放、卸载硅晶片时卸片组件起到辅助作用,使安放、卸载硅晶片更加方便。通过设置隔热组件减小了传热流量,进而减小炉壳底面及侧面的温度,从而减小对外界的热干扰。
另外,根据本发明上述实施例的激光退火片台装置还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的一些实施例,进一步包括第一和第二导轨,所述第一导轨沿第一方向可平移地设在所述第二导轨上,其中所述底座沿正交于所述第一方向的第二方向可平移地设在所述第一导轨上。
根据本发明的一个实施例,进一步包括调平组件,所述调平组件连接在所述炉壳与所述底座之间用于调整所述托盘的水平度。
根据本发明的一些示例,所述调平组件包括:第一螺柱,所述第一螺柱设在所述底座 的上表面上;第二螺柱,所述第二螺柱设在所述炉壳的底面上且与所述第一螺柱对应;螺套,所述螺套两端分别与所述第一和第二螺柱螺纹连接;和第一和第二螺母,所述第一和所述第二螺母分别配合在所述第一螺柱和第二螺柱上且分别位于所述螺套两端。
根据本发明的一个示例,所述驱动组件包括:支撑盘,每个所述顶针的下端固定在支撑盘上;转轴,所述转轴可旋转地支撑在所述底座上;和凸轮,所述凸轮安装在所述转轴上用于随所述转轴旋转以驱动所述支撑盘升降。
根据本发明的一个具体示例,所述托盘为石墨盘,且所述石墨盘的外表面上镀有碳化硅膜。
根据本发明的一些实施例,所述加热组件与所述托盘间隔开预定距离且包括铠装电热丝。
根据本发明的一个实施例,所述隔热组件包括多个套筒,每个套筒的顶端敞开且底端封闭,所述多个套筒嵌套在一起且相邻两个套筒的底面之间以及周面之间彼此间隔开。
根据本发明的一些示例,所述托盘上设置有用于将硅晶片固定在所述托盘上的弹簧拨片。
根据本发明的一个示例,还包括托盘温度控制系统,所述托盘温度控制单元系统包括:用于检测所述托盘的温度的测温件;和温控单元,所述温控单元分别与所述测温件和所述加热组件相连以根据所述测温件检测到的温度控制所述加热组件。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明实施例的激光退火片台装置的主视示意图;
图2是图1中A处的放大示意图;
图3是根据本发明实施例的激光退火片台装置的侧视示意图;
图4是图3中B处的放大示意图;
图5是根据本发明实施例的激光退火片台装置的立体结构示意图;和
图6是根据本发明实施例的激光退火片台装置的片台温度控制的原理示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造